高溫CMOS模擬運(yùn)算放大電路的研究與設(shè)計(jì).pdf

1、近年來(lái)，隨著科學(xué)技術(shù)和工業(yè)生產(chǎn)的飛速發(fā)展，尤其是在一些特殊的領(lǐng)域，對(duì)于電路的工作溫度使用要求越來(lái)越高，高溫微電子學(xué)也越來(lái)越受到重視，本文就是在前人的分析和研究基礎(chǔ)之上，對(duì)高溫CMOS模擬電路進(jìn)行了進(jìn)一步的分析和研究，并在理論分析的基礎(chǔ)之上根據(jù)高溫CMOS模擬電路的設(shè)計(jì)規(guī)則設(shè)計(jì)了一個(gè)二級(jí)CMOS模擬運(yùn)算放大電路。論文的主要內(nèi)容包括以下幾個(gè)方面：
　　 1、對(duì)高溫CMOS模擬放大電路的應(yīng)用前景，發(fā)展歷史及現(xiàn)有成果進(jìn)行分析和說(shuō)明，闡述

2、了高溫CMOS模擬放大電路在現(xiàn)代電子技術(shù)中的應(yīng)用。
　　 2、分析了引起CMOS模擬放大電路在高溫時(shí)性能不穩(wěn)定的原因，結(jié)合薩式方程從理論上計(jì)算出高溫CMOS模擬放大電路的溫度特性，同時(shí)引入了零溫度系數(shù)點(diǎn)理論探討出高溫CMOS模擬放大電路的設(shè)計(jì)規(guī)則。
　　 3、給出了具體的高溫CMOS模擬放大電路的設(shè)計(jì)過(guò)程，包括四個(gè)構(gòu)成部分，分別是：
　　 (1)加入了泄漏二極管的偏置級(jí)(2)帶有偏置二極管的差分放大輸入級(jí)(3)具