GaN基材料熱退火與濕法腐蝕的研究.pdf

1、由于GaN材料具有禁帶寬度大、擊穿場強高、電子飽和速度高、抗輻射能力強和化學穩(wěn)定性好等優(yōu)越的性質(zhì)，因此AlGaN/GaN HEMT器件成了制作微波大功率器件的理想繼任者。盡管AlGaN/GaN HEMT器件在微波大功率特性方面取得了很大的進步，但仍然存在著許多制約因素限制了其性能的提升和應用發(fā)展。其中熱退火對AlGaN/GaN異質(zhì)結材料特性的影響與GaN材料腐蝕坑特性的研究都是迫切需解決的問題。針對GaN材料熱退火的研究，本文采用HEM

2、T器件制備過程中的快速熱退火過程，預測熱退火對GaN基HEMT器件的影響。針對GaN材料腐蝕坑特性的研究，本文用熔融的KOH腐蝕摻雜的n-GaN和p-GaN外延層材料，分析后確定了不同的腐蝕坑與不同位錯的對應關系，并通過其AFM形貌圖和電流分布圖確立了一個新的模型-N原子導電模型。
　　 本文首先重點研究熱退火對AlGaN/GaN異質(zhì)結材料特性的影響。同時為了對照，對非故意摻雜的GaN、摻Si的GaN也進行相同條件的退火處理，然

3、后分析退火過程對這三種材料結構的影響。通過退火前后的XRD、AFM、CV和Hall，以及方阻的數(shù)據(jù)，我們認為退火造成了AlGaN/GaN異質(zhì)結中GaN和AlGaN材料的應變松弛以及AlGaN材料晶格常數(shù)c變大，使得AlGaN勢壘層中的極化強度削弱，從而使界面處束縛電荷的面密度降低，導致2DEG的濃度下降；退火還造成了異質(zhì)結中2DEG的遷移率下降，本文認為這可能是退火在勢壘層引入了新缺陷，并且退火使得GaN材料中刃位錯密度上升或者是退火導

4、致載流子發(fā)生了補償?shù)纫蛩卦斐傻模@些變化都會影響GaN基HEMT器件的性能。
　　 接著，本文對GaN材料腐蝕坑的特性進行了深入的研究。通過熔融的KOH腐蝕n-GaN和p-GaN材料后，經(jīng)過AFM和SEM分析，我們發(fā)現(xiàn)了三種不同的腐蝕坑(α,β，γ)，并通過一定的腐蝕機制將它們分別與純?nèi)形诲e，純螺位錯和混合位錯相對應，本文還給出了三種腐蝕坑的三維示意圖。
　　 最后，本文對腐蝕后的GaN材料進行了導電AFM分析研究，發(fā)