基于BUCK電路的弧焊電源功率平臺(tái)研究.pdf

1、當(dāng)今社會(huì)發(fā)展對(duì)生產(chǎn)加工要求的精度越來(lái)越高,同時(shí)對(duì)設(shè)備電源的動(dòng)態(tài)響應(yīng)性也提出了更高的要求,快速的動(dòng)態(tài)響應(yīng)性可以有效地促進(jìn)和提高生產(chǎn)加工的精度。比較逆變電源和斬波電源在實(shí)現(xiàn)快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)性方面的優(yōu)缺點(diǎn)以及通過(guò)對(duì)焊接電源原理的研究,設(shè)計(jì)了一臺(tái)以MOSFET作為開(kāi)關(guān)管、BUCK電路作為電源主回路拓?fù)?工作頻率50KHz的斬波電源,并給出了總體的設(shè)計(jì)方案。
　　 本電源主電路采用了模塊化設(shè)計(jì),該模塊整體結(jié)構(gòu)緊湊、并具有良好的對(duì)稱性,各個(gè)器件

2、之間采用平整的紫銅排進(jìn)行連接;在驅(qū)動(dòng)電路板和MOSFET柵極之間采用導(dǎo)電性良好的紫銅柱進(jìn)行連接,線路長(zhǎng)度相同保證了驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)囊恢滦浴１驹O(shè)計(jì)的電源模塊有效解決了MOSFET均流的問(wèn)題;模塊設(shè)計(jì)減小了主電路回路雜散電感的存在,很大程度上抑制了MOSFET漏源電壓尖峰,實(shí)測(cè)漏源尖峰電壓在210V左右,大大增大了MOSFET工作的安全系數(shù)。
　　 電源控制電路是以SG3526為核心控制芯片的模擬脈寬調(diào)制電路,采用I/I模式的控制方式

3、,以輸出電流作為反饋量,實(shí)現(xiàn)了對(duì)弧焊電源的閉環(huán)控制。為了保證電源系統(tǒng)的安全工作,作者設(shè)計(jì)了過(guò)熱和限流保護(hù)電路,提高了系統(tǒng)的安全系數(shù)。在開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)中,作者選取了一款MOSFET專用驅(qū)動(dòng)芯片IXDD414,通過(guò)理論計(jì)算和實(shí)際試驗(yàn)測(cè)試,得出該芯片驅(qū)動(dòng)能力能夠滿足設(shè)計(jì)的要求。此外為了進(jìn)一步保證MOSFET的安全工作,作者設(shè)計(jì)了MOSFET吸收電路,采用RCD吸收的緩沖網(wǎng)絡(luò),通過(guò)理論計(jì)算和實(shí)際試驗(yàn)調(diào)試,使MOSFET在輸出額定電流時(shí)的漏