Quantum Transport Modeling in Nano Transistors and Transistor Model Verification.pdf

1、在過去的十年中，微納電子的顯著進步已經(jīng)使MOSFET的溝道長度進入到十納米量級。由于載流子輸運的物理本質(zhì)特征偏離了傳統(tǒng)的輸運方式，這一進步對器件的仿真提出了新的挑戰(zhàn)。在器件和電路的性能中，準彈道輸運和量子現(xiàn)象的影響變得越來越重要。本論文研究的目的是分析準彈道輸運的物理本質(zhì)特性以及其對納米器件仿真的作用。論文研究的第一部分由三個組成;一是要理清器件描述中準彈道輸運的物理本質(zhì)并回顧器件在準彈道體系下的輸運模型;另一個是介紹MOSFET的勢壘

2、頂部的半經(jīng)典彈道輸運模型;最后是利用非平衡格林函數(shù)模型和半經(jīng)典模型來探索短溝道納米晶體管的彈道輸運過程。通過仿真各種形狀的DG MOSFET和短溝道納米晶體管，上述技術問題都可以得到驗證。本論文的仿真結(jié)果突出了不同形狀晶體管的彈道輸運的重要特性。
　　在接下來的第二部分中，本論文提出了一種新的晶體管模型驗證技術。這種技術可以幫助電路設計人員設計出高度集成度的數(shù)字CMOS電路并且其噪聲可以被控制。該方法也是一種合適的高準確度晶體管模