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文檔簡介
1、納米TiO2具有優(yōu)異的光學、電學及化學性能,是一種重要的寬禁帶氧化物半導體材料。近年來,納米TiO2光催化技術(shù)作為一種高級氧化技術(shù)受到人們廣泛關(guān)注。但是,純的納米TiO2光催化性能不強,限制了它的應用。為了提高納米TiO2的光催化活性,必須對其進行改性。
本文采用改進水熱法制備了非金屬與金屬共摻雜、金屬與金屬共摻雜及半導體復合的納米TiO2,并分別采用XRD、TEM、SEM、DRS、XPS、BET和光催化降解甲基橙對其物相
2、和光催化性能進行了研究。
(1)以硝酸鎘和十二胺為摻雜劑,分別采用熱分解法和水熱法制備了未摻雜、N摻雜和N-Cd共摻雜納米TiO2光催化劑。通過XRD、TEM、DRS、XPS和BET等手段對樣品的晶型、晶粒尺寸、摻雜元素形態(tài)、光吸收性能以及比表面積進行了表征,以甲基橙溶液為目標降解物考察了其光催化性能。討論了煅燒溫度、實驗方法及摻雜元素對TiO2光催化活性的影響。結(jié)果表明,用熱分解法在450℃下煅燒得到的N-Cd共摻雜Ti
3、O2光催化活性最高。銳鈦礦型N,Cd-TiO2晶體顆粒大小約為10-15 nm,N取代了TiO2晶格中的O原子,而Cd以游離態(tài)分布在TiO2表面:產(chǎn)物的光吸收發(fā)生明顯紅移,其吸收邊波長為435nm;光催化活性明顯提高,光照15 min后,N,Cd-TiO2對甲基橙的降解率高達99%,這表明N、Cd在提高TiO2的光催化活性方面具有協(xié)同作用。采用第一性原理方法,構(gòu)建N取代O、Cd在表面的銳鈦礦型TiO2模型,對其電子結(jié)構(gòu)和光學性質(zhì)進行了理
4、論計算。結(jié)果發(fā)現(xiàn)在N,Cd-TiO2的帶隙中出現(xiàn)了N2p和Cd5s的雜質(zhì)能級,價帶的電子可以吸收較小的能量躍遷到雜質(zhì)能級上,在光照射下接著二次激發(fā)躍遷到導帶上,從而使電子躍遷變得容易,吸收波長向可見光區(qū)移動。計算結(jié)果很好地解釋了實驗現(xiàn)象。
(2)采用沉淀法一水熱法相結(jié)合的方法分別制備未摻雜、La3+與Zn2+單摻雜及共摻雜TiO2光催化劑。La3+與Zn2+共摻雜后樣品在紫外和可見光區(qū)的吸收能力顯著提高,光吸收發(fā)生明顯紅移
5、;La3+、Zn2+摻雜降低了光生電子-空穴對的復合率,光催化活性明顯提高。
(3)采用金屬摻雜和半導體復合兩種改性方法相結(jié)合制備了La3+摻雜、CdS復合TiO2光催化劑,并探討了摻雜元素和CdS復合量對TiO2形貌、晶型和光催化活性的影響。La元素摻雜可在TiO2半導體中形成淺勢捕獲阱,有效地降低光生載流子的復合率,CdS復合可顯著提高樣品在可見光區(qū)的吸收。n(TiO2:CdS)=100:5時,La-CdS/TiO2光
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