CdSeS量子點(diǎn)及其復(fù)合薄膜的光學(xué)非線性特性.pdf

1、具有大的光學(xué)非線性特性以及快的響應(yīng)時(shí)間對(duì)光通訊器件有著實(shí)際意義。本論文以CdSeS量子點(diǎn)為研究對(duì)象，采用旋轉(zhuǎn)涂覆法制備CdSeS量子點(diǎn)/聚苯乙烯(PS)復(fù)合薄膜，利用X射線衍射(XRD)方法分析薄膜的表面特征，通過(guò)紫外可見(jiàn)光譜(UV-Vis)和熒光光譜測(cè)試研究CdSeS量子點(diǎn)溶液及CdSeS/PS復(fù)合薄膜的光學(xué)特性。結(jié)果表明，CdSeS量子點(diǎn)及其復(fù)合薄膜具有較大的三階非線性。論文的主要內(nèi)容和結(jié)論如下：
　　1.采用旋轉(zhuǎn)涂覆法在熔石

2、英基片(10×10×0.3mm3)上制備CdSeS/PS復(fù)合薄膜。通過(guò)調(diào)節(jié)勻膠機(jī)的速度以及涂覆時(shí)間，可以控制薄膜的厚度。通過(guò)顯微鏡觀察,薄膜厚度約為10μm。利用X射線衍射方法表征薄膜的表面形貌,由XRD圖譜可以知道,薄膜在44.4°和64.1°處位置有衍射峰,其分別對(duì)應(yīng)CdSeS量子點(diǎn)(220)面和(440)面的衍射峰。通過(guò)謝樂(lè)公式可以計(jì)算出CdSeS量子點(diǎn)的半徑約為4.4nm。
　　2.通過(guò)雙光束紫外-可見(jiàn)光光度計(jì)測(cè)量 CdS

3、eS量子點(diǎn)溶液以及CdSeS/PS復(fù)合薄膜在200-900nm波長(zhǎng)范圍的UV-Vis透射譜,從歸一化透射譜中可以看出CdSeS量子點(diǎn)的吸收峰在523nm,其帯隙能量為2.375eV。通過(guò)UV-Vis譜我們還可以得到量子點(diǎn)的組分為CdSe0.8S0.2。利用熒光光譜儀測(cè)量了CdSeS量子點(diǎn)溶液以及CdSeS/PS復(fù)合薄膜在400-700nm波長(zhǎng)范圍的熒光光譜,發(fā)光峰在537nm,相比UV-Vis譜有一個(gè)15nm的斯托克斯位移。