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文檔簡介
1、半導(dǎo)體器件模擬工具通過數(shù)值計算，讓我們以虛擬的方式考察半導(dǎo)體器件內(nèi)部的工作和物理過程，從而幫助我們分析和理解器件的工作原理和特性，探索器件性能的改進(jìn)方法。本論文應(yīng)用技術(shù)計算機輔助設(shè)計(TCAD)工具，模擬金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的可靠性和相關(guān)測試方法。
首先，我們介紹了TCAD常用器件模擬工具ATLAS和Medici的使用方法。通過模擬傳統(tǒng)MOSFET的電流電壓特性，我們詳細(xì)解釋了模擬輸入文件中的具體指令。
2、然后，我們使用TCAD工具和Matlab軟件對電荷泵浦(CP)測量方法進(jìn)行了模擬，并提出了一個圖解方法來解釋MOSFET的CP測量過程和結(jié)果。結(jié)合模擬結(jié)果，我們把測量中的主要物理過程表示在一幅圖中，同時也用模擬結(jié)果和圖解表示解釋了用于可靠性研究的改進(jìn)的CP測量方法。最后，我們用TCAD工具模擬了隧穿晶體管(TFET)的特性，考察了TFET器件的可靠性并與傳統(tǒng)MOSFET做了比較。我們發(fā)現(xiàn)，TFET的驅(qū)動電流Id的退化主要受到隧穿結(jié)附近～
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