Ti-,3-SiC-,2-陶瓷及其復(fù)合材料的制備和性能研究.pdf

1、該文對(duì)一種具有特殊的層狀晶體結(jié)構(gòu)和層狀顯微組織的陶瓷--Ti<,3>SiC<,2>及其復(fù)合材料的制備和性能進(jìn)行了考察.首先對(duì)Ti<,3>SiC<,2>粉體的制備進(jìn)行了研究.作者以Ti/Si/C為原料,使用一種具有高產(chǎn)率且產(chǎn)品易加工成粉體的工藝--真空燒結(jié)合成了純度較高的Ti<,3>SiC<,2>粉體,并對(duì)燒結(jié)溫度、燒結(jié)時(shí)間、原料體系組成等進(jìn)行了優(yōu)化.通過(guò)使用X射線衍射的方法對(duì)燒結(jié)產(chǎn)物相組成進(jìn)行的定性和定量分析以及掃描電子顯微鏡對(duì)燒結(jié)產(chǎn)物

2、進(jìn)行的顯微組織分析,發(fā)現(xiàn)對(duì)摩爾組成為3Ti/1.75Si/2C的原料在1450℃燒結(jié)240min可以得到Ti<,3>SiC<,2>體積含量為93％的產(chǎn)物,其晶粒呈明顯的片狀.與在Ar氣氛燒結(jié)和熱壓相比,真空燒結(jié)時(shí)Si通過(guò)氣相的損失較大而C的擴(kuò)散污染較小.原料中添加適量Al可以在降低燒結(jié)溫度和縮短燒結(jié)時(shí)間的同時(shí)提高燒結(jié)產(chǎn)物的純度,但所獲得的Ti<,3>SiC<,2>實(shí)際是一種應(yīng)表示為Ti<,3>(Si,A1)C<,2>的固溶體.對(duì)一種被認(rèn)

3、為可以提高產(chǎn)物純度的后處理工藝--退火進(jìn)行的考察發(fā)現(xiàn)其實(shí)質(zhì)基本是燒結(jié)過(guò)程的繼續(xù),在該文中該處理對(duì)Ti<,3>SiC<,2>含量已較高的真空燒結(jié)產(chǎn)物的提純效果不明顯甚至反而有負(fù)作用.Ti<,3>SiC<,2>復(fù)合材料的制備和性能是該文的重點(diǎn)之一.文中以反應(yīng)熱壓的方法制備了分別以μm-TiC、μm-TiB<,2>、nm-TiC、nm-SiC、nm-Si<,3>N<,4>為第二相的Ti<,3>SiC<,2>基復(fù)合材料,并對(duì)它們的顯微組織和力學(xué)