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文檔簡介
1、本文利用直流磁控濺射技術(shù)研究了應(yīng)用于硅基薄膜太陽能電池前電極上的摻鋁氧化鋅(AZO)透明導(dǎo)電薄膜的制備和性能表征。主要完成了以下兩方面的工作：
利用摻雜A14at.％的Zn-Al合金靶為靶材，首先在玻璃襯底上制備平面AZO透明導(dǎo)電薄膜。通過變換工藝參數(shù)，研究了襯底溫度、氧分壓和濺射功率等工藝條件對AZO薄膜的電學(xué)、光學(xué)以及結(jié)構(gòu)性能的影響。在實(shí)驗(yàn)和分析的基礎(chǔ)上確定了制備平面AZO薄膜的最優(yōu)化工藝條件，即本底真空度為5.0x1
2、0-4Pa，工作氣壓為0.5Pa，襯底溫度為400℃，濺射功率為150W，氬氧比為100比6。濺射時間為10min時，制得的薄膜厚度為865nm，電阻率為8.35×10-4Ω·cm，霍爾遷移率為20.7cm2/V·s，載流子濃度為3.59×1020cm-3，可見光范圍平均透過率大于90％。制得的薄膜具有高的可見光透過率和低的電阻率，為接下來在器件中的應(yīng)用打好了基礎(chǔ)。
本論文采用先生長平面AZO薄膜后濕化學(xué)腐蝕的辦法制備AZ
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