2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、高介電復(fù)合材料在微電子工程技術(shù)方面的應(yīng)用前景廣闊，但常用的陶瓷顆粒/聚合物復(fù)合材料的介電性能和機(jī)械性能不佳，制約了其發(fā)展與應(yīng)用，無法滿足現(xiàn)代微電子科技的要求。因而，為進(jìn)一步提高聚合材料的介電性能和機(jī)械性能，導(dǎo)電填料/聚合物復(fù)合材料成為高介電聚合物材料的研究熱點(diǎn)和重點(diǎn)本文選用聚偏氟乙烯(PVDF)為聚合物基體，石墨烯為導(dǎo)電填料制備了高介電性能的復(fù)合膜，并對(duì)其結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行了研究，具體如下：
　　通過用改進(jìn)Hummers法制備氧化石墨

2、烯，并利用水合肼對(duì)其進(jìn)行化學(xué)還原，研究了還原溫度，還原時(shí)間對(duì)氧化石墨烯(GO)的還原效果，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，還原時(shí)間對(duì)還原效果影響不大，而還原溫度對(duì)還原效果產(chǎn)生顯著影響，還原溫度越高其效果越好；在90℃條件下還原3h所制備的還原氧化石墨烯(RGO)的C/O原子比為15．1，基本達(dá)到理論值。
　　利用二甲基甲酰胺(DMF)制備了GO/PVDF復(fù)合材料，再對(duì)其進(jìn)行化學(xué)還原以實(shí)現(xiàn)RGO在PVDF基體中均勻分散，進(jìn)而制備出RGO/PVDF復(fù)合膜，

3、利用FTIR、XRD、SEM等方法對(duì)復(fù)合材料進(jìn)行了結(jié)構(gòu)表征，并對(duì)RGO/PVDF復(fù)合膜的介電性能進(jìn)行了研究。結(jié)果表明，RGO/PVDF復(fù)合膜的介電性能和機(jī)械性能均隨著RGO含量的增加而提高。當(dāng)RGO的含量為1wt％名時(shí)，復(fù)合膜的介電常數(shù)和拉伸強(qiáng)度分別為18和78．33MPa，與純PVDF膜的8與45．93MPa相比，分別提高了125％與700%左右。通過控制還原溫度，得到不同還原程度的RGO/PVDF復(fù)合膜，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，還原程度越高的復(fù)合

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