2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩71頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶(hù)提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、P型窗口層是影響非晶硅(a-Si)和微晶硅(μc-Si)薄膜太陽(yáng)電池整體性能的重要因素之一.本論文采用七室連續(xù)RF-PECVD系統(tǒng),用常規(guī)摻雜劑乙硼烷制備了非晶和微晶兩種窗口材料,以新型摻雜劑三甲基硼制備了非晶硅窗口材料.實(shí)驗(yàn)研究了工藝參數(shù)對(duì)材料性能的影響,并且考察了這幾種窗口材料在硅薄膜太陽(yáng)電池上的適用性.以B<,2>H<,6>為摻雜劑制備a-SiC:H窗口材料的暗電導(dǎo)達(dá)到了10<'-7>s/cm的數(shù)量級(jí),光學(xué)帶隙達(dá)到1.80~1.9

2、5ev.用這種窗口材料制備的單結(jié)非晶硅太陽(yáng)電池最好性能為:開(kāi)路電壓V<,oc>為0.835V,短路電流J<,sc>為13.03mA/cm<'2>,填充因子FF達(dá)0.725,初始效率為7.89﹪.μc-SiC:H窗口材料的制備仍以B<,2>H<,6>為摻雜劑,暗電導(dǎo)最高達(dá)到了2.24s/cm.采用μc-SiC:H窗口材料的單節(jié)μc-Si:H電池初始效率達(dá)到4.80﹪,自然衰退率都小于15﹪.用新型摻雜劑三甲基硼制備的a-SiC:H窗口材料

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論