VLSI曝光成像效果的技術研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩91頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權，請進行舉報或認領

文檔簡介

1、　　本課題主要針對現(xiàn)階段紫外光投影光刻機的成像效果進行分析，理論依據(jù)為透鏡成像原理和光刻膠線寬變化機理。本文首先引入瑞利定則，對光刻技術的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢進行論述，重點討論了先進的光學光刻技術；圍繞分辨率和焦深兩個參數(shù)展開討論；將影響光刻效果的因素與光刻膠線寬變化預測模型相結合，設定單因素試驗從光刻機的光源系統(tǒng)、調(diào)焦系統(tǒng)、掩膜版和棱鏡的畸變、光刻膠之間的成像差異、晶片本身及工藝中不同膜層的應力的變化等角度進行論證分析?！　≌麄€課題的研究

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論