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文檔簡介
1、在超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)中，研究新一代的金屬內(nèi)連線具有重要的意義。由于金屬銅電阻值低、抗電遷移性好等優(yōu)點(diǎn)將全面取代現(xiàn)在集成電路中一直使用的金屬鋁。銅薄膜的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)是制備連續(xù)、均勻、具有良好階梯覆蓋率的高質(zhì)量銅金屬薄膜的一種被推崇的工藝之一。然而前驅(qū)物對銅薄膜MOCVD的影響至關(guān)重要，自上世紀(jì)90年代末以來，Cu(Ⅰ)前驅(qū)物的合成與應(yīng)用成為MOCVD前驅(qū)物研究的重點(diǎn)。 本論文在參考史克蘭無水無氧操作線的
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