NAND閃存的軟硬判決糾錯碼應(yīng)用研究.pdf

1、近年來，隨著閃存技術(shù)的飛速發(fā)展，閃速存儲器（Flash Memory）的高性能、非易失性（Non-Volatility）、能耗低、抗震動、存儲容量高等優(yōu)點被人們發(fā)掘，擴大了其在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用面。更由于閃存技術(shù)在近些年的飛速發(fā)展，閃存的諸多優(yōu)點均得到了放大，未來將可能取代PC中的機械磁盤，成為主流的大容量高性能存儲技術(shù)。MLC（Multi-Level Cell）型NAND Flash由于為大容量存儲的實現(xiàn)提供了廉價而有效的解決方案，成

2、為了目前主流的閃存類型。
　　MLC型NAND Flash盡管已經(jīng)廣泛應(yīng)用于日常生活中，但自身還存在很多缺點，比如NAND Flash結(jié)構(gòu)決定了傳輸過程中存在多種干擾，使得數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)的可靠性問題突出，需要進行相關(guān)糾錯碼技術(shù)的研究，來提高可靠性。NAND Flash單元間干擾是應(yīng)用中噪聲的主要來源，對傳輸模型的優(yōu)化以及對單元間干擾模型的研究將有助于提高MLC閃存性能?？梢酝ㄟ^針對以上問題等的研究，來進行糾錯碼方案和傳輸模型的優(yōu)化，

3、或者采取多種方式同時應(yīng)用的手段，來提高 NAND Flash的性能和傳輸可靠性。擴大MLC型NAND Flash的應(yīng)用場景，使得高性能存儲真正做到普及。多級存儲單元(MLC)技術(shù)可用來提高 NAND閃存的數(shù)據(jù)存儲密度(容量)，然而，MLC型NAND Flash中等級數(shù)量的增加導(dǎo)致閃存的存儲出現(xiàn)了大量干擾和錯誤。
　　本文對MLC型NAND Flash的差錯控制編碼技術(shù)進行了研究，分析了閃存操作中干擾的主要來源，推測出可能產(chǎn)生的錯誤

4、類型，并通過針對軟硬判決糾錯碼的研究，給出了相應(yīng)的解決方案，具體內(nèi)容如下：
　　1.簡要介紹了閃存的特性，分析了NAND Flash的物理結(jié)構(gòu)，介紹了讀操作、編程操作以及擦除操作三種基本的操作方式。分析了閃存操作中干擾的主要來源，并介紹了解決閃存錯誤用到的相應(yīng)差錯控制編碼。
　　2.針對NAND Flash軟判決類錯誤，分析了存儲單元間的干擾方式，基于軟判決LLR值的計算方法，推導(dǎo)出了NAND Flash信道下的LLR值計算