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1、l/f噪聲在很大程度上是由器件中的雜質(zhì)和缺陷引起的,它們制約了半導(dǎo)體器件在低頻工作時(shí)的性能.理論上可以通過(guò)改進(jìn)制造工藝來(lái)抑制.但是,受到成本、現(xiàn)有制造水平等實(shí)際條件的限制,現(xiàn)在無(wú)法從制造工藝的角度對(duì)l/f噪聲進(jìn)行根本性的抑制.因此,從信號(hào)處理角度對(duì)l/f噪聲進(jìn)行分析和補(bǔ)償,是一種實(shí)用經(jīng)濟(jì)的方案.該文首先利用多種方法驗(yàn)證l/f噪聲的混沌性,其中包括計(jì)算l/f噪聲的Lyapunov指數(shù),重構(gòu)l/f噪聲的相空間以觀察是否具有混沌吸引子,這些結(jié)
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