NiO及NiCoO三維納米電極的制備及其超級電容性能研究.pdf

1、論文介紹了超級電容器的特點、應(yīng)用和電極材料的最新研究進展，并對鎳基贗電容材料三維生長的研究現(xiàn)狀進行了全面綜述。論文以TiO2納米管陣列為基底，制備出了三維生長的氧化鎳多孔薄膜電極、氧化鎳鈷復合物納米線薄膜電極，并利用 X射線衍射儀（XRD），場發(fā)射掃描電鏡（SEM），透射電鏡（TEM），X射線光電子能譜（XPS）及電化學工作站（CHI660C）等儀器分析其形貌及超級電容性能。論文的主要內(nèi)容如下：
　　(1)論文中實現(xiàn)了氧化鎳納米材

2、料在異相基底上的三維生長，利用基底輔助水熱反應(yīng)法，在TiO2納米管陣列基底上成功制備出三維生長的氧化鎳多孔薄膜電極，超級電容性能測試結(jié)果顯示：該氧化鎳三維多孔薄膜電極在充放電電流密度為1mA/cm2，2mA/cm2，5mA/cm2時，質(zhì)量比容量分別為：924.4F/g、894.4F/g、860.1F/g，并在5mA/cm2的充放電電流密度下循環(huán)1000圈后，容量保持了92.9％。
　　(2)論文中實現(xiàn)了雙金屬氧化物在異相基底上的三

3、維生長，利用基底輔助水熱反應(yīng)法，在TiO2納米管陣列基底上成功制備出氧化鎳鈷復合物納米線三維薄膜電極，超級電容器性能測試結(jié)果顯示：該氧化鎳鈷納米線三維薄膜電極在充放電電流密度為1mA/cm2、2mA/cm2、5mA/cm2、10mA/cm2、20mA/cm2條件下，質(zhì)量比容量分別為2353F/g、2282F/g、2235F/g、2201F/g、2173F/g，且該薄膜在充放電電流密度為8 mA/cm2下充放電3000圈之后，比容量保持了