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文檔簡介
1、特殊形貌的稀土發(fā)光材料,其形貌、尺寸及微觀結(jié)構(gòu)對其性質(zhì)和應(yīng)用都具有重要的影響,因而,特殊形貌的稀土發(fā)光材料(如納米線、納米棒及具有自組裝特性的結(jié)構(gòu)材料)的合成及其性能的表征對于新型無機功能材料的基礎(chǔ)和應(yīng)用研究具有重要的意義,因此得到廣泛的關(guān)注。
Gd2O3是一種重要且容易獲取的稀土氧化物,具有優(yōu)異的物理化學(xué)穩(wěn)定性,且容易摻入稀土離子,因此,Gd2O3作為基質(zhì)被廣泛應(yīng)用于稀土發(fā)光材料。本文分別采用水熱法和均相沉淀法合成特殊形貌G
2、d2O3:Eu3+紅色發(fā)光粉和Gd2O3:Dy3+黃色發(fā)光粉,并通過熱分析儀、紅外光譜、X射線粉末衍射、掃描電子顯微鏡及熒光分光光度計等對產(chǎn)物的形成過程、物相結(jié)構(gòu)、微觀形貌及發(fā)光性能進行了分析和表征,得出以下結(jié)論:
(1)研究了沉淀劑種類(氨水、碳酸氫銨)對水熱合成Gd2O3:Eu3+熒光粉結(jié)構(gòu)、形貌及性能的影響。結(jié)果表明:以氨水和碳酸氫銨為沉淀劑經(jīng)水熱過程所得的前軀體分別為氫氧化釓和水合碳酸釓,其分解歷程都分為三步,前軀體經(jīng)
3、800℃下焙燒2h均得到了純立方相的Gd2O3:Eu3+。以氨水為沉淀劑所得樣品尺寸均一,呈長徑比較小的短棒狀;以碳酸氫銨為沉淀劑所得樣品呈長徑比較大的細(xì)條狀。所得Gd2O3:Eu3+主發(fā)射峰位置均在613nm,呈紅光發(fā)射,以碳酸氫銨為沉淀劑所得樣品的發(fā)光強度相對較大;激發(fā)光譜中主激發(fā)峰位于261nm左右,對應(yīng)于Eu-O的電荷遷移躍遷。
(2)研究了系列表面活性劑:聚乙二醇-1000(PEG-1000)、十二烷基磺酸鈉(DSA
4、SS)、十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)、乙二醇(EG)對水熱合成Gd2O3:Eu3+熒光粉結(jié)構(gòu)、形貌及性能的影響。結(jié)果表明:采用不同的表面活性劑所得前驅(qū)物經(jīng)800℃下焙燒均得到了純立方相的Gd2O3:Eu3+微晶,顆?;境拾魻睿稚⑿暂^好,但長徑比不同。以PEG-1000為表面活性劑所得樣品尺寸不均一,尺寸分布范圍較寬;以DSASS、CTAB、EG為表面活性劑所得樣品直徑較小、長度較短,且尺寸分布范圍較窄。棒狀Gd2O3:Eu3+微
5、晶主發(fā)射峰位置均在613nm,屬于5D0→7F2躍遷,呈紅光發(fā)射;激發(fā)光譜中電荷遷移態(tài)發(fā)生了紅移,主激發(fā)峰位于261nm。表面活性劑種類對發(fā)射峰和激發(fā)峰強度影響較大,由強到弱的順序為:PEG-1000>DSASS>CTAB>EG。
(3)研究了表面活性劑(PEG-1000)用量對水熱法合成Gd2O3:Eu3+熒光粉結(jié)構(gòu)、形貌及性能的影響。結(jié)果表明:聚乙二醇-1000添加量對樣品的物相結(jié)構(gòu)沒有影響,均得到立方相Gd2O3:Eu3
6、+;對顆粒形貌影響不大,均為針狀結(jié)構(gòu),但對粒子的分散性、尺寸影響較大,隨著加入量的增加,粒子的分散性變好,尺寸變小。Gd2O3:Eu3+的最強發(fā)射峰位均位于613nm,發(fā)射光譜譜峰形狀和位置基本相同,強度略有差異。激發(fā)光譜均由Eu3+的電荷遷移態(tài)(CTB),Gd3+的f-f躍遷以及Eu3+的f-f高能級躍遷三部分組成,主激發(fā)峰位于261nm左右。
(4)以氫氧化鈉為沉淀劑,采用水熱方法制備了Gd2O3:Dy3+納米棒。研究結(jié)果
7、表明:水熱前驅(qū)體為六方相氫氧化釓(鏑),經(jīng)900℃焙燒得立方相的Gd2O3:Dy3+。所得Gd2O3:Dy3+為直徑約100nm,長度約500nm-1μm的納米棒。其激發(fā)光譜由一系列激發(fā)峰組成,峰值分別位于239nm、279nm、314nm、353nm,最強峰位于279nm處;發(fā)射光譜主要由兩部分組成,分別為460nm-500nm的藍(lán)光和560nm-590nm的黃綠光發(fā)射峰(帶),均屬于Dy3+的特征發(fā)射,且后者的強度遠(yuǎn)高于前者,因此,
8、在紫外光激發(fā)下呈黃光發(fā)射。
(5)以尿素為沉淀劑,采用水熱方法制備了Gd2O3:Dy3+針狀黃色發(fā)光粉。研究結(jié)果表明:水熱前驅(qū)體為堿式碳酸釓,經(jīng)900℃焙燒后得到純立方相的Gd2O3:Dy3+。其微觀形貌為針狀結(jié)構(gòu),直徑約為500nm-1.3μm,長度約為10-200μm。Dy3+的摻雜濃度對Gd2O3:Dy3+的發(fā)光強度有著重要的影響,發(fā)光強度隨著Dy3+摻雜量的增加呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢,摻雜濃度為0.8%時發(fā)光強度最大,
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