自組裝Zn-ZnO納米線表面等離子體增強(qiáng)紫外發(fā)光及受激發(fā)射的研究.pdf

1、由于一維納米材料獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)以及在納米器件中廣泛的應(yīng)用前景，納米的制備以及其性能的研究引起了科研人員的廣泛關(guān)注。氧化鋅(ZnO)是一種直接帶隙、禁帶寬度高達(dá)3.37 eV的寬禁帶半導(dǎo)體，具有卓越的光學(xué)性質(zhì)和高的熱穩(wěn)定性，是繼GaN之后研究的一個(gè)新熱點(diǎn)。通過(guò)大量的研究發(fā)現(xiàn) ZnO納米材料是一種在壓電傳感器、太陽(yáng)能電池、氣體傳感器等方面很有應(yīng)用潛力的光電材料。然而由于表面態(tài)或其所含的雜志容易捕獲大量的光生電子，導(dǎo)致ZnO發(fā)光效率低下，

2、使得其在紫外發(fā)光二極管、壓電式轉(zhuǎn)化器和傳感器等器件應(yīng)用方面發(fā)展緩慢。因此，如何去限制表面態(tài)或者雜質(zhì)的影響從而提高紫外發(fā)光效率是個(gè)很有必要的挑戰(zhàn)。近年來(lái)，通過(guò)光或者電磁場(chǎng)與納米金屬顆粒的表面等離子體耦合共振被證明是提高ZnO發(fā)光效率的一項(xiàng)有效途徑。表面等離子體共振提高發(fā)光效率最常見(jiàn)的方式就是在ZnO表面覆蓋一層金屬顆粒，諸如Pt，Au，Ag，Zn,從而獲得ZnO發(fā)光效率的提高。
　　本論文就針對(duì)如何提高ZnO納米材料發(fā)光效率展開(kāi)了研

3、究。我們利用簡(jiǎn)單的化學(xué)氣相沉積法，低溫下，高產(chǎn)量地合成了Zn/ZnO復(fù)合納米線。通過(guò)掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡、選區(qū)電子衍射等手段對(duì)樣品進(jìn)行的表征，利用微區(qū)拉曼對(duì)Zn/ZnO復(fù)合納米線的發(fā)光性質(zhì)進(jìn)行了細(xì)致的研究，發(fā)現(xiàn)復(fù)合材料的紫外發(fā)射有了顯著的增強(qiáng)，通過(guò)對(duì)比與分析，提出了增強(qiáng)機(jī)制。并且在Zn/ZnO復(fù)合納米線中我們更為便捷的觀察到了受激發(fā)射行為。
　　再進(jìn)一步的研究中，我們?cè)赯nO納米線上濺射Au納米顆粒，利用微區(qū)拉曼可以逐點(diǎn)