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1、電光調(diào)Q高重復(fù)頻率激光器具有更窄的脈寬和更高的峰值功率,這使得它與聲光調(diào)Q高重復(fù)頻率激光器相比占有很大優(yōu)勢(shì)。在工業(yè)高速加工、高速攝影以及高速三維數(shù)據(jù)采集等方面,電光調(diào)Q高重復(fù)頻率激光器具有極好的應(yīng)用前景。然而,可用的電光晶體中,DKDP晶體插入損耗比較大;LNB晶體在高重復(fù)頻率時(shí)存在壓電環(huán)效應(yīng);BBO晶體調(diào)Q半波電壓比較高,增加了制作Q驅(qū)動(dòng)源的難度;目前有關(guān)LGS晶體高重復(fù)頻率應(yīng)用的報(bào)道很少;而KTP晶體電導(dǎo)率較高使其電光性能變差;RT
2、P晶體具有大電光系數(shù)、高損傷閾值以及高重復(fù)頻率時(shí)不存在壓電效應(yīng),適合作為高重復(fù)頻率、高峰值功率電光Q開(kāi)關(guān)。因此,研究RTP電光調(diào)Q高重復(fù)頻率激光器具有重要的意義。本論文內(nèi)容包括以下幾個(gè)方面:
(1)本論文簡(jiǎn)潔敘述了本課題的研究背景及意義;綜述了各種調(diào)Q高重復(fù)頻率激光器技術(shù)的研究現(xiàn)狀以及技術(shù)特點(diǎn);提出了RTP電光調(diào)Q在高重復(fù)頻率激光的應(yīng)用前景。
(2)從速率方程理論出發(fā),分析LD側(cè)面連續(xù)泵浦Nd:YAG電光調(diào)Q
3、形成高重復(fù)頻率激光的過(guò)程;推導(dǎo)了調(diào)Q激光器的輸出特性以及重復(fù)頻率激光器的峰值功率與最大連續(xù)功率之比、平均功率與最大連續(xù)輸出功率之比、脈寬與歸一化重復(fù)頻率的關(guān)系。
(3)從單軸晶體折射率橢球出發(fā),推導(dǎo)了單軸晶體縱向電光效應(yīng)的半波電壓值;主要分析了幾種電光晶體的優(yōu)缺點(diǎn)以及應(yīng)用;最后確定RTP作為L(zhǎng)D側(cè)面泵浦Nd:YAG的高重復(fù)頻率激光器中的電光調(diào)Q晶體。
(4)計(jì)算了本課題中RTP電光調(diào)Q晶體的半波電壓值;設(shè)計(jì)了
4、制作RTP電光Q開(kāi)關(guān)的實(shí)驗(yàn)。同時(shí),采用雙軸晶體的折射率橢球理論,分析并比較三種影響雙RTP電光Q開(kāi)關(guān)消光比的主要因素,其中兩塊RTP晶體的通光方向(x軸)不重合引起額外的相位差對(duì)Q開(kāi)關(guān)消光比影響最大,其次是兩塊晶體外加電場(chǎng)方向(z軸正方向)是否正交,而激光光束與電光開(kāi)關(guān)的通光方向有一定的夾角影響最小。這為設(shè)計(jì)Q開(kāi)關(guān)和實(shí)驗(yàn)調(diào)試提供了理論依據(jù)。
(5)實(shí)驗(yàn)初步研究了RTP電光調(diào)Q高重復(fù)頻率激光器的輸出特性;初步實(shí)現(xiàn)了LD側(cè)面連
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