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1、環(huán)狀納米結(jié)構(gòu)是一種很有潛力的納米器件單元,它在電子學(xué)、光學(xué)、光電子學(xué)、信息存儲(chǔ)、生物探測(cè)等方面具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。對(duì)于環(huán)狀納米結(jié)構(gòu)的研究,首先就是解決如何能夠大面積、低成本地制備出幾何形狀規(guī)則的納米環(huán)的問(wèn)題。目前,納米環(huán)的制備方法主要有模板刻蝕法、液相化學(xué)法、分子束外延法,這些方法存在著實(shí)驗(yàn)過(guò)程復(fù)雜、實(shí)驗(yàn)條件苛刻、需要高端昂貴的設(shè)備等不便之處。本文中,我們進(jìn)一步發(fā)展了氣泡模板法,這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本,操作簡(jiǎn)單而且能夠大面積制備N(xiāo)iO納
2、米環(huán)。在這種方法中,氣泡通過(guò)多級(jí)破裂至納米氣泡,納米氣泡起到了模板的作用。
NiO納米環(huán)的制備流程為:首先,配制含有硝酸鎳的SiO2溶膠;其次,采用浸漬提拉法在玻璃襯底或者硅襯底上形成Ni(NO3)2/Si O2薄膜,最后經(jīng)過(guò)熱處理得到NiO納米環(huán)。利用掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線衍射儀(XRD)對(duì)所制備的樣品進(jìn)行形貌與晶體結(jié)構(gòu)表征,SEM結(jié)果顯示NiO納米環(huán)的結(jié)構(gòu)完整,分布均勻,排列緊密,平均外直徑約為100~150
3、 nm,環(huán)壁厚大約10~20 nm,納米環(huán)之間的平均距離約為200-300 nm。XRD結(jié)果表明所得到的產(chǎn)物為面心立方晶體結(jié)構(gòu)的NiO。研究了溶膠中各物質(zhì)的比例、硝酸鎳濃度、熱處理方式等對(duì)NiO納米環(huán)產(chǎn)生影響的因素,獲得了大面積制備形狀規(guī)則的納米環(huán)的最優(yōu)實(shí)驗(yàn)條件。初步研究了NiO納米環(huán)的室溫磁性能,結(jié)果顯示在室溫下NiO納米環(huán)具有弱的鐵磁性,矯頑力大約為670 Oe,剩余磁化強(qiáng)度約為8.1×10-4 emu/cm2。
根據(jù)
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