STO-YBCO集成薄膜的脈沖激光沉積及性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、電子科技大學(xué)碩士學(xué)位論文STOYBCO集成薄膜的脈沖激光沉積及性能研究姓名：李德紅申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：劉興釗李言榮20030301電子科技大學(xué)碩士論文AbstractThedielectricconstantofStTiO(STO)thinfilmsisvoltagedependentnearthecurietemperatureTc(about40K).Andnodispersionineisobserve

2、dinSTOatfrequenciesupto10GHz.YBa2Cu307(YBCO)hightemperaturesuperconductingthinfilmhasverylowmicrowavesurfaceresistance.ThetypicalvalueofRs(lOGHz77K)issmallerthanlm0.InadditionSimilaritiesincrystalstructureandchemicalcomp

3、atibilitybetweenSTOandYBCOopenupthepossibilitythattheuniquepropertiesofeachofthesefilmscanbecombinedtodevelopanarrayoftunablemicrowavedeviceswithnovelapplicationssuchasfiltersphaseshiftersandresonators.Themajortaskofthed

4、issertationisthegrowthofYBCOSTOforthefabricationofmicrowavedevices.TheSTOYBCOandSTOYBCOthinfilmsweredepositedonLaA103(001)(LAO)substratebypulsedlaserdeposition(PLD).Theefectsofdepositionparameterssuchasthesubstratetemper

5、aturetheoftargetsubstratedistancelaserenergydensityonthepropertiesofthethinfillmsweresystematicallystudied.Thesurfacemorphologyofthethinfilmswasinvestigatedbyatomicforcemicroscopy(APM)andscanningelectronmicroscopy(SEM).U

6、ndertheoptimizedconditionthesurfacesofthethinfilmsweresmooth.Therootmeansquareroughness(rms)ofSTOthinfilmwas0.77nmintherangeof10um.ThestepflowgrowthmodeofSTOthinfilmwasachieved.TheXraydifraction(XRD)resultsshowedthatboth

7、STOandYBCOthinfilmswerecaxisoriented.ThesuperconductingtransitionpropertiesofYBCOthinfilmswereexcellentTeo90KoTc1K.InordertodemonstratethedielectricpropertiesofSTOthinfilmthesandwichtypecapacitorsandinterdigitatedcapacit

8、orswerefabricated.ThepropertiesofcapacitorsweremeasuredusinganHP4284ALCRmeterat77Kunder100kHz.“Themeasurementresultsfromsandwichtypecapacitorsshowedthatthedielectricconstantdecreasedfrom1437to902whentheelectricalfieldinc

9、reasedfrom0to56kVcm.Thetunabilitywas38%andthedielectriclosswas1.06%.TheasymmetryontheC^Vcurvewasobserved.ItwasattributedtotheformationofseriescapacitancebytheSTOthinfilmsandtheinterfacebetweenSTOandthebottomelectrode.The

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