方波型界面結(jié)構(gòu)對有機電致磷光器件光電性能影響的研究.pdf

1、本文以典型結(jié)構(gòu)的磷光器件ITO／NPB／CBP：Ir(ppy)3／Balq／Alq3/LiF／Al為研究對象，開展界面改性研究，在NPB／CBP：Ir(ppy)3界面、CBP：Ir(PPY)3／Balq界面以及Alq3／LiF界面處構(gòu)筑方波型界面結(jié)構(gòu)，研究了凸起厚度，凸起數(shù)目對器件的光電性能的影響。
　　 研究了Alq3／LiF處方波型界面對器件光電性能的影響。在Alq3／LiF處構(gòu)筑方波型界面。實驗制作了凸起厚度為5nm、10

2、nm、15nm、20nm的器件，分別研究了凸起厚度、凸起數(shù)目對器件性能的影響。實驗發(fā)現(xiàn)：
　　 在此界面處的方波型界面結(jié)構(gòu)，可以改變電子的注入和傳輸，進而影響發(fā)光層界面電子空穴對分布。最終得出：在凸起厚度為15nm凸起數(shù)目為3時的器件D15-3電流效率最高為28cd／A，與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)器件D相比提高了43％。
　　 研究了CBP：Ir(ppy)3／BAIq、Balq／Alq3、Alq3／LiF處方波型界面對器件光電性能的影響

3、。在CBP：Ir(ppy)3／Balq、Balq／Alq3、Alq3／LiF三處構(gòu)筑方波型界面。實驗制作了凸起厚度分別為2nm、4nm、6nm、8nm的器件，分別研究了凸起厚度、凸起數(shù)目對器件性能的影響。實驗發(fā)現(xiàn)：
　　 CBP：Ir(ppy)3／Balq、Balq／Alq3、Alq/LiF處方波型界面結(jié)構(gòu)既改變了發(fā)光層CBP：Ir(ppy)3的厚度，也改變了電子傳輸層Alq3的界面結(jié)構(gòu)，進一步提高了電子注入效率，與注入到發(fā)光層

4、界面的空穴結(jié)合增強。再者，發(fā)光層界面的增多，也是提高電流效率的主要原因。當凸起厚度為4nm、凸起數(shù)目為3時的器件D4．3的電流效率最高為27.8 cd／A，與傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)器件D相比提高了42％。
　　 研究了NPB／CBP：Ir(PPY)3、CBP：Ir(ppy)3／Balq、Balq／Alq3、Alq3/LiF處方波型界面對器件性能的影響。在NPB／CBP：Ir(PPY)3、CBP：Ir(ppy)3／Balq：Balq／AIq3、

5、Alq3／LiF四處構(gòu)筑方波型界面。實驗制作了凸起厚度分別為5nm、10nm、15nm、20nm的器件，分別研究了凸起厚度、凸起數(shù)目對器件性能的影響。實驗發(fā)現(xiàn)：此時方波型界面結(jié)構(gòu)相當于把整個器件分割成NPB厚度不同的幾個并聯(lián)器件，這種并聯(lián)結(jié)構(gòu)器件的電流密度低于NPB厚度為30nm的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的器件D。其次，方波型界面結(jié)構(gòu)增加了載流子復(fù)合界面的面積，分散了NPB／CBP：Ir(ppy)3界面處三線態(tài)激子，減少了三線態(tài)激子淬滅幾率，提高了三線