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文檔簡介
1、本文主要利用紫外光刻法在多孔陽極氧化鋁模板上復(fù)制掩模預(yù)設(shè)的圖案。探索了影響模板圖案化的條件。經(jīng)過研究后發(fā)現(xiàn)，圖案化直徑為lcm的多空氧化鋁模板最佳的光刻條件為：勻膠量為0.2ml，曝光時間為50s，顯影時間為20s。并且，光刻的圖案越小，對實驗條件的要求越高，制備越困難；大小相同的，圖案空隙越大，制備的圖案越好。
然后以圖案化的多孔氧化鋁模板為二次模板，采用熔融法和溶液法分別制備了不同聚合物的圖案化的納米管陣列，如PS，P
2、MMA,EVA,PE等。在融掉模板與剩余光刻膠后，采用掃描電子顯微鏡對圖案化聚合物納米管進行了表征。結(jié)果表明，聚合物納米管陣列的圖案與掩模圖案完全一致。剛性較大的聚合物較易形成圖案化聚合物納米管陣列，得到的納米管直立性較好，不易發(fā)生倒坍。熔融法制備圖案化聚合物納米管受生長溫度與反應(yīng)時間的影響較大，而溶液法制備圖案化聚合物納米管受溶液濃度等條件影響。得到的PS與PMMA的圖案化納米管陣列較好。
本文還對溶液法制備聚合物納米管
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