EMI濾波器寄生參數(shù)消除技術(shù)的研究.pdf

1、隨著功率變換器開關(guān)頻率的提高,電磁兼容性成為變換器開發(fā)設(shè)計過程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié),相應(yīng)的電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)也成為變換器相關(guān)產(chǎn)品必須滿足的性能指標(biāo)。EMI濾波器是抑制傳導(dǎo)干擾的有效手段,但由于寄生參數(shù)的存在,對于高頻段的變換器電磁干擾的抑制效果并不明顯。因此,為改善濾波器性能,EMI濾波寄生參數(shù)的提取和消除是十分必要的。
　　 本文首先分析了EMI濾波器的技術(shù)參數(shù),并給出了插入損耗測量方法,推導(dǎo)出當(dāng)源阻抗和負(fù)載阻抗匹配時,散射參數(shù)S21即

2、為濾波器的插入損耗。然后通過分析EMI濾波器中自有寄生參數(shù)和互有寄生參數(shù)與插入損耗的關(guān)系,確定他們在影響EMI濾波器高頻特性中所起的不同作用,從而有針對性的對寄生參數(shù)進行提取和消除。分析了電感器的模型參數(shù)與工作頻率之間的關(guān)系,在此基礎(chǔ)上建立了EMI濾波器重要的元件--共模扼流圈的集中模型,采用阻抗參數(shù)法提取了電容器的寄生參數(shù),建立了EMI濾波器的高頻模型。實測與計算比較,證實了模型的正確性和建模方法的有效性。
　　 為提高EMI

3、濾波器的高頻特性,對其中的寄生參數(shù)進行了消除。本文著重研究了電容器寄生電感的消除原理,提出一種平面型的“消除器”?？紤]到平面消除器的二次寄生電容問題,建立了平面交錯型“消除器”的三維有限元模型來求解該模型的參數(shù),并通過實驗證明該模型可明顯改善電容器高頻性能。由于電感器寄生電容的存在,使得扼流圈漏感與寄生電容存在耦合,影響濾波器性能,采用雙線并繞串聯(lián)結(jié)構(gòu),可有效消除寄生電容。通過改變扼流圈的放置方式,可進一步降低其漏感與電容器寄生電感的之