Mg摻雜ZnO量子點的制備及其表面功能化.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、氧化鋅(ZnO)是一種新型的Ⅱ-Ⅵ族直接帶隙光電半導體材料,具有熱穩(wěn)定性高,生物相容性好,光學性質(zhì)可調(diào)節(jié)等優(yōu)點,而其原料豐富易得,價格低廉,無毒無污染,抗輻射能力強和良好的機電耦合性能等優(yōu)點,是一種綠色環(huán)保型材料?;谝陨咸匦?,氧化鋅被認為是新一代的短波長光電半導體材料,具有廣闊的應(yīng)用前景,在全球范圍內(nèi)掀起了研究熱潮。
  本論文首先用簡單的熱增長方法,按照不同Mg/Zn摩爾比例(O~1.6)在不同溫度(110-180℃)下合成了

2、一系列具有較好熒光性質(zhì)的Mg摻雜的ZnO量子點。研究結(jié)果表明:隨著Mg/Zn比例的增大,量子點的熒光光譜顯著藍移,同時溫度的升高導致量子點發(fā)光峰位紅移。通過調(diào)整合成條件最終確定當Mg/Zn為0.8,反應(yīng)溫度為130℃時為最佳的合成條件。接著將具有重要光電應(yīng)用的苯并噻唑和苯并惡唑作為配體,通過配體交換過程實現(xiàn)了對Mg/ZnO半導體量子點的表面功能化,從而賦予了量子點可調(diào)控的熒光性質(zhì)。結(jié)果發(fā)現(xiàn):當量子點被苯并噻唑等功能化后,量子點的粒徑并沒

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