TiN節(jié)能鍍膜玻璃的APCVD法制備及熱處理工藝研究.pdf

1、當前能源危機日益嚴重,具有優(yōu)異節(jié)能效果的高效節(jié)能鍍膜玻璃引起了廣泛研究興趣。但該玻璃目前大部分是多層復合結構,主要采用離線鍍膜技術,不利于普遍使用。本論文嘗試以常壓化學氣相沉積法,在玻璃片上沉積TiN薄膜,旨在研制能夠與浮法玻璃生產(chǎn)線兼容的單層高效節(jié)能薄膜。
　　 以TiCl4和NH3為反應物,以N2為保護氣,用常壓化學氣相沉積法在玻璃基板上沉積TiN薄膜。運用XRD、EDX、SEM和UV-Vis分光光度計等測試手段,研究了制各

2、參數(shù)(沉積溫度、時間和冷卻方式)和熱處理參數(shù)(熱處理溫度、時間和氣氛)對薄膜化學成分、形貌和光電性能的影響,以調(diào)整其低輻射和陽光控制功能。
　　 研究發(fā)現(xiàn)TiN薄膜的成膜溫度高于500℃,沉積時間大于1 min時開始出現(xiàn)結晶,且表現(xiàn)出(200)晶面取向生長。升高沉積溫度、延長沉積時間和真空冷卻都能改善結晶性能,降低N/Ti,改善導電性,提高平均中遠紅外反射率,印增強低輻射功能。而適中的沉積溫度、長反應時間和氮氣冷卻能提高薄膜陽光

3、控制功能。當沉積溫度在600℃,沉積時間為90 s,氮氣冷卻時薄膜能較好綜合低輻射功能和陽光控制功能:平均中遠紅外反射率為55％,平均近紅外反射率達到60％左右,可見光透過率為8％左右。此外,還發(fā)現(xiàn)高溫和長時間反應會降低可見光反射率,這對解決節(jié)能鍍膜玻璃應用上存在的光污染問題具有重要意義。
　　 為了進一步改善薄膜光電性能,本研究對TiN薄膜進行熱處理,結果顯示:熱處理后薄膜的結晶性能得到改善,N含量減少,晶格常數(shù)減小,應力和缺