光通信用不同增益材料雪崩光電二極管的研究.pdf

1、本論文主要研究雪崩光電二極管(APD)的頻率響應(yīng)及接收機的噪聲和靈敏度特性。吸收層、漸變層、電荷層和倍增層分離結(jié)構(gòu)雪崩光電二極管SAGCM-APD，包括InP/InGaAs（磷化銦/銦鎵砷)、InAlAs/InGaAs（銦鋁砷/銦鎵砷)和Si/Ge（硅/鍺)SAGCM-APD是光通信領(lǐng)域近年來研究的熱點。隨著傳輸速率的不斷提高，光接收機的噪聲及靈敏度特性的研究變得尤為重要。本論文建立APD的等效電路模型，利用PSPICE 仿真軟件，對A

2、PD與跨阻放大器TIA組成的光接收機的噪聲特性進行仿真，并對APD-FET(場效應(yīng)管)組件的靈敏度特性進行了探討，通過仿真，總結(jié)出不同材料的APD 及其結(jié)構(gòu)參數(shù)變化對光接收機的噪聲及靈敏度特性的影響。最后，本論文應(yīng)用APD的頻率響應(yīng)電路模型，系統(tǒng)地研究了不同倍增材料，包括InP、InAlAs和Si，以及正入射、波導(dǎo)型和諧振腔型結(jié)構(gòu)的APD的頻率響應(yīng)特性。
　　 進一步分析了APD 吸收層厚度、光敏面大小、寄生參數(shù)、入射方向、電壓