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1、開火電流技術(shù)足一種與標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字CMOS-工-藝完全兼容的模擬取樣信號(hào)處理技術(shù),它具有低成本、低電壓、低功耗、高速度以及易于集成的優(yōu)點(diǎn),是繼開關(guān)電容技術(shù)之后,數(shù)字/模擬混合集成電路實(shí)現(xiàn)技術(shù)發(fā)展的新方向。基于過(guò)采樣技術(shù)的Sigma-Delta模數(shù)轉(zhuǎn)換器以速度換精度,通過(guò)噪聲整形、數(shù)字濾波來(lái)獲得高精度的A/D轉(zhuǎn)換,成為實(shí)現(xiàn)中低速、高精度模數(shù)轉(zhuǎn)換的主要技術(shù)。將開關(guān)電流技術(shù)應(yīng)用到Sjo ma-Delta模數(shù)轉(zhuǎn)換器中,構(gòu)造一種性能更高的模數(shù)轉(zhuǎn)換器。<
2、br> 本文對(duì)開關(guān)電流電路的工作原理、電路結(jié)構(gòu)和制約開關(guān)電流電路性能的非理想性進(jìn)行了深入研究,設(shè)計(jì)出高性能的開關(guān)電流存儲(chǔ)單元,并在其基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)出二階SiGma-Delta調(diào)制器。論文的主要研究成果概括如下:
1、設(shè)計(jì)出一可T柵結(jié)構(gòu)的S2T開關(guān)電流存儲(chǔ)單元。仿真結(jié)果表明,該電流存單元的輸入一輸出電導(dǎo)比由普通結(jié)構(gòu)的'24.17提升到'2807.69;總的電流誤差家由普通結(jié)構(gòu)的.
2、指出了第二代開關(guān)電流存儲(chǔ)單元仿真時(shí)需
3、注意的事項(xiàng)。初識(shí)第二代開關(guān)電流存儲(chǔ)單元的研究人員往往忽視這個(gè)問(wèn)題,以致于把這種錯(cuò)誤的仿真方法產(chǎn)生的誤差電流與開關(guān)電流存儲(chǔ)單元本身存在的誤差電流混入在一起,使研究工作很難進(jìn)行F去。
3、設(shè)計(jì)出一時(shí)間離散的電流比較器。該電流比較器由一個(gè)可再生鎖存器和RS觸發(fā)器構(gòu)成,在輸入信號(hào)頻率為5MHz的情況下,其最小分辨率可達(dá)40nA。
4、設(shè)計(jì)出-D/A轉(zhuǎn)換器。該D/A轉(zhuǎn)換器采用全差分輸出輸入結(jié)構(gòu),其轉(zhuǎn)換速率可達(dá)25MHz。
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