半導(dǎo)體橋火工品靜電損傷及理論模擬.pdf

1、本文通過(guò)靜電作用前后電阻變化規(guī)律、Ⅰ-Ⅴ特性曲線、發(fā)火電壓及臨界爆發(fā)電流等手段分析了半導(dǎo)體橋火工品的靜電作用特性。利用電磁場(chǎng)軟件Ansoft Maxwell對(duì)半導(dǎo)體橋的腳-殼間靜電作用進(jìn)行模擬仿真。具體如下:
　　 (1)研究了靜電對(duì)標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體橋火工品的影響,標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體橋火工品可以耐受?chē)?guó)軍標(biāo)條件下(25kV,500pF,5000Ω)的靜電作用;但靜電作用使得TSCB鈍感,安全性沒(méi)有惡化,表現(xiàn)在全發(fā)火電壓上升,點(diǎn)火能量、電流峰值增

2、大,安全電流變化不明顯。不同的裝藥方式和不同的藥劑下,該規(guī)律一致。國(guó)軍標(biāo)條件下的靜電作用同時(shí)使得TSCB的阻值變化不大,Ⅰ-Ⅴ曲線斜率下降。
　　 (2)研究了靜電對(duì)微型半導(dǎo)體橋火工品的影響,微型半導(dǎo)體橋火工品受到靜電作用后變得鈍感。微型半導(dǎo)體橋火工品性能劣化的閾值為13kV;隨著靜電電壓的增大,微型半導(dǎo)體橋火工品的阻值增加,Ⅰ-Ⅴ曲線斜率逐漸減小,這與橋體的形狀、摻雜率和芯片的負(fù)阻效應(yīng)有關(guān)。
　　 (3)通過(guò)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)