2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、鈦酸鋇具有優(yōu)良的壓電、熱釋電和鐵電性,可制作多層陶瓷電容器、鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器、熱釋電探測(cè)器、倍頻器、介質(zhì)移相器、壓控濾波器等眾多的功能元器件。為了進(jìn)一步提高其介電非線性和減小低頻下的介質(zhì)損耗,通過A位摻Sr2+形成鈦酸鍶鋇(Ba1-xSrxTiO3,簡(jiǎn)稱BST)材料。但鈦酸鍶鋇材料當(dāng)外加直流電場(chǎng)超過幾百kV/cm后,其漏電流密度以數(shù)量級(jí)上升,并在2MV/cm左右發(fā)生擊穿。人們通過改進(jìn)制備工藝、摻雜等多種措施仍未能解決這一重要問題,因而不得

2、不考慮用其它材料代替鈦酸鍶鋇。鋯鈦酸鋇(BaZrxTi1-xO3,簡(jiǎn)稱BZT)漏電流低、耐電強(qiáng)度高,是一種可能代替鈦酸鍶鋇的材料,而錫鈦酸鋇(BaSnxTi1-xO3,簡(jiǎn)稱BTS)作為一種典型的鈦酸鋇基弛豫鐵電材料也受到大家的重視,對(duì)這些鈦酸鋇基材料進(jìn)行摻雜改性是需要進(jìn)一步研究的重要問題。
   本文系統(tǒng)研究了摻雜種類及濃度與鈦酸鋇基陶瓷微結(jié)構(gòu)、介電性能和鐵電性能的關(guān)系,對(duì)摻雜機(jī)理進(jìn)行了探討,并采用第一性原理討論了鈦酸鋇基材料的

3、電子結(jié)構(gòu)。取得的成果如下:
   ①鋯鈦酸鋇陶瓷的晶粒尺寸直接影響其電疇類型,較大晶粒尺寸的BZT陶瓷中沒有90°疇存在;在BZT陶瓷中存在魚骨狀、薄片狀和水波紋等形狀的電疇;隨晶粒尺寸增大,BZT陶瓷的矯頑場(chǎng)強(qiáng)逐漸減小,剩余極化強(qiáng)度逐漸增大。
   ②摻雜鋯鈦酸鋇陶瓷中,Mn4+、Al3+、Hf4+、Ce4+、Ni3+(Ni2O3量<1 at.%)均進(jìn)入BZT陶瓷的晶胞取代B位的Ti4+和Zr4+,但Ni2O3量≥2

4、at.%時(shí),出現(xiàn)第二相Ni2O3。MnO2、Al2O3、CeO2、Ni2O3和HfO2均具有細(xì)晶作用。
   MnO2、CeO2、HfO2、Ni2O3可降低。BZT陶瓷的介質(zhì)損耗,但Al2O3使其介質(zhì)損耗升高。BZT陶瓷相變彌散程度隨MnO2、Al2O3量增加而減弱,隨Ni2O3、HfO2量增加先減弱后增強(qiáng),摻MnO2、Al2O3、Ni2O3、HfO2時(shí)無頻率色散現(xiàn)象;摻1at.%CeO2的BZT陶瓷介電峰寬化且存在明顯頻率色散

5、。BZT陶瓷剩余極化強(qiáng)度和矯頑場(chǎng)強(qiáng)隨MnO2、CeO2量增加而減??;隨Ni2O3量增加,BZT陶瓷剩余極化強(qiáng)度逐漸減小,矯頑場(chǎng)強(qiáng)先減小后增大;BZT陶瓷矯頑場(chǎng)強(qiáng)隨Al2O3量增加而增大;隨HfO2量增加,BZT陶瓷的剩余極化強(qiáng)度先增加后減小,矯頑場(chǎng)強(qiáng)先減小后增大。綜合考慮,B位可變價(jià)的MnO2的引入可使鋯鈦酸鋇陶瓷在室溫下具有較大的介電常數(shù)和較低的介質(zhì)損耗,是一種較為理想的摻雜改性物。
   ③當(dāng)x為0~0.30時(shí),BaSnxT

6、i1-xO3陶瓷隨錫量(x)增加由四方相向立方相過渡。Mn4+、Zn2+取代錫鈦酸鋇B位的Ti4+和Sn4+。Sn4+、Mn4+和Zn2+均具有細(xì)晶作用。BaSnxTi1-xO3陶瓷室溫介質(zhì)損耗低于鈦酸鋇陶瓷。BaSnxTi1-xO3陶瓷的相變彌散程度隨錫量增加逐漸增強(qiáng)。BaTi0.9Sn0.1O3陶瓷相變彌散程度隨MnO2量增加逐漸減弱,而ZnO可使其相變彌散程度增強(qiáng)。BaSnxTi1-xO3陶瓷剩余極化強(qiáng)度隨錫量(x)增加而減??;當(dāng)

7、X為0.10~0.20,錫鈦酸鋇陶瓷矯頑場(chǎng)強(qiáng)隨錫量增加而增大。
   ④摻雜鈦酸鋇陶瓷中,V5+和La3+分別取代鈦酸鋇B位的Ti4+和A位的Ba2+;MgO量<1.5at.%時(shí),Mg2+取代B位的Ti4+,當(dāng)MgO量≥1.5at.%時(shí),出現(xiàn)第二相MgO。MgO和La2O3具有細(xì)晶作用,但鈦酸鋇陶瓷的晶粒尺寸隨V2O5量增加而增大。
   V2O5可降低鈦酸鋇陶瓷介質(zhì)損耗,而MgO使其介質(zhì)損耗增加;La2O3量達(dá)一定程度

8、可使鈦酸鋇陶瓷介質(zhì)損耗降低。鈦酸鋇陶瓷中摻MgO和La2O3會(huì)使介電峰有一定程度寬化。隨V2O5量增加,鈦酸鋇陶瓷剩余極化強(qiáng)度先增加到最大值隨后減?。粨絍2O5后,鈦酸鋇陶瓷矯頑場(chǎng)強(qiáng)明顯降低。綜合考慮,B位可變價(jià)的V2O5的引入可使鈦酸鋇陶瓷具有較低的介質(zhì)損耗和較大的剩余極化強(qiáng)度,是一種較為理想的摻雜改性物。
   ⑤電子結(jié)構(gòu)的第一性原理計(jì)算表明:鈦酸鋇中Ba-O、Ti-O分別以離子鍵、共價(jià)鍵形式結(jié)合,其相變是Ti原子相對(duì)位置發(fā)

9、生改變引起的。Ti和O的雜化主要是由O2p態(tài)和Ti3d態(tài)所提供。鐵電相鈦酸鋇的Ti-O雜化程度低于順電相鈦酸鋇。
   摻鋯鈦酸鋇禁帶寬度隨鋯量增加而增大。摻Zr4+后,總態(tài)密度和分態(tài)密度變化明顯,這是Zr-4d電子與O-2p電子間發(fā)生雜化所致。摻鉿鈦酸鋇禁帶寬度隨鉿量增加先增大后減小,其能帶結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)并度隨鉿量增加而降低,其鐵電性強(qiáng)于純鈦酸鋇。摻Hf后,O-Ti鍵布居數(shù)增加,共價(jià)鍵結(jié)合增強(qiáng),而O-Ba鍵布居數(shù)絕對(duì)值減小,離子鍵結(jié)合

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