SnO2納米材料的制備、微結構、生長機理及光譜研究.pdf

1、一維結構納米材料，包括納米線、納米棒、納米管不僅可以作為納米尺寸器件的功能組件或納米器件之間的連接材料，還是研究一維納米結構的光學特性、電學特性、磁學特性和熱學特性等物理性質的理想體系。目前，一維結構納米材料的制備已經非常成熟，人們嘗試通過化學分子束外延法、化學氣相沉積法等方法制備異質結構納米材料。這些異質結構納米材料具有優(yōu)異的電輸運和光學特性，在未來光電子領域具有廣泛的應用。本論文以一維結構的單質SnO2納米材料的研究為基礎，在此基礎

2、上研究ZnS/SnO2異質納米材料，并利用XRD、SEM、TEM對產物的形貌、結構進行表征和分析，Raman和PL研究其光學特性。
　　1.超細SnO2納米線的制備、生長及光譜研究
　　通過熱蒸發(fā)法首次成功制備了超細的SnO2納米線。TEM表征結果表明SnO2納米線為單晶結構，帶軸沿[010]方向，納米線沿著[001]方向生長。Raman譜測量結果發(fā)現位于474、633和776cm-1的Raman峰分別為金紅石結構SnO2的

3、Eg、A1g和B2g模。PL譜中觀察到一個非對稱的、較寬的黃色發(fā)光帶，研究認為該黃光發(fā)射源于氣相合成SnO2納米線過程中產生的Sn間隙或O空位所導致的附加能級。
　　2. SnO2量子點的制備和光譜分析
　　利用水熱合成法制備出了大量粒徑均勻的SnO2量子點，量子點的尺寸4-5nm。利用XRD、TEM對制備的SnO2量子點進行了全面的表征和分析。在SnO2量子點的Raman光譜上，觀察到位于352,561,633和756cm

4、-1四個明顯的頻移峰。其中位于633和756cm-1的Raman峰分別對應于A1g和B2g的振動模，位于352和561 cm-1的頻移峰為新的特征峰。分析認為這些新特征峰是與晶體方面表面積有關的表面振動模。同時,通過改變酒精和水的比例做了一系列實驗。借助于XRD和TEM詳細地研究了在不同條件下合成SnO2量子點的形貌和結晶程度。
　　3. ZnS/SnO2異質納米結構的外延生長及光譜分析
　　采用二步合成法在ZnS納米帶上外