一種應(yīng)用于ZVS全橋變換器的高頻隔離雙通道諧振驅(qū)動(dòng).pdf

1、提高功率變換器的開關(guān)頻率可以減小其中無源器件的體積，提高其功率密度。但是，隨著開關(guān)頻率的提高，開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗也會(huì)相應(yīng)增加。雖然軟開關(guān)技術(shù)可以減小高頻時(shí)的開關(guān)損耗，但是隨著開關(guān)頻率的提高，過大的驅(qū)動(dòng)損耗嚴(yán)重影響著電路的效率和可靠性。在最近的二十年里，諧振驅(qū)動(dòng)技術(shù)（Resonant Gate Driver,RGD）被人們提了出來。與傳統(tǒng)電壓型驅(qū)動(dòng)相比，諧振驅(qū)動(dòng)技術(shù)可以回收原本消耗的驅(qū)動(dòng)能量，從而可以減小驅(qū)動(dòng)損耗。全橋變換器在中大功率的場(chǎng)

2、合應(yīng)用很廣泛。但是，目前依然沒有適合它的諧振驅(qū)動(dòng)電路來減小其高頻驅(qū)動(dòng)損耗的。而所提的諧振驅(qū)動(dòng)電路也應(yīng)該可以與零電壓開關(guān)技術(shù)結(jié)合起來，從而提高全橋變換器效率。
　　本文提出了一種適合全橋變換器的隔離雙通道諧振驅(qū)動(dòng)電路。所提RGD電路可以為一個(gè)橋臂上的兩只功率MOSFET提供一對(duì)隔離互補(bǔ)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。而且，與傳統(tǒng)電壓源驅(qū)動(dòng)相比，所提RGD電路可以減小79％的驅(qū)動(dòng)損耗。此外，所提RGD電路產(chǎn)生的反向驅(qū)動(dòng)電壓可以提高功率MOSFET關(guān)斷的可