二維環(huán)型光子晶體的完全帶隙特性.pdf

1、光子晶體是由不同介電常數(shù)的材料周期排列的人工微結(jié)構(gòu)。光子帶隙是光子晶體的重要特性之一,也是光子晶體應(yīng)用研究的基礎(chǔ),因此,對(duì)光子晶體的禁帶特性的研究就成為光子晶體研究的重要內(nèi)容之一。本文采用平面波展開(kāi)法(PWM)重點(diǎn)研究了二維環(huán)型光子晶體的完全帶隙特性,為制作大帶隙光子晶體以及光子晶體光學(xué)器件的設(shè)計(jì)提供有益的理論依據(jù)。論文的主要內(nèi)容有:
　　 1.研究了GaAs、Ge兩種材料的二維空氣孔型光子晶體完全帶隙與晶格結(jié)構(gòu)、填充比、介電常

2、數(shù)比三個(gè)主要影響因素之間的關(guān)系。根據(jù)計(jì)算結(jié)果,我們主要研究了由Ge組成的二維三角晶格內(nèi)介質(zhì)柱為非圓形的準(zhǔn)空氣環(huán)型(準(zhǔn)環(huán)型)光子晶體的完全帶隙特性,其內(nèi)介質(zhì)柱分別為長(zhǎng)方形、正方形、六角形,作為比較需要,還研究了內(nèi)介質(zhì)柱為圓形的空氣環(huán)型光子晶體的完全帶隙特性。改變其內(nèi)介質(zhì)柱填充率、介電常數(shù)比、旋轉(zhuǎn)角度,同時(shí)改變空氣環(huán)外半徑,以尋找最大完全帶隙的結(jié)構(gòu)參數(shù),研究其完全帶隙變化規(guī)律。
　　 2.研究了GaAs、Ge兩種材料的二維介質(zhì)柱型和