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文檔簡介
1、隨著信息存儲技術(shù)的不斷發(fā)展,用有機(jī)小分子材料和聚合物材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)的無機(jī)半導(dǎo)體作為信息存儲介質(zhì)成為各國研究的熱點(diǎn)。本論文將從有機(jī)分子材料入手,介紹有機(jī)分子薄膜的幾種開關(guān)特性機(jī)理研究。在此基礎(chǔ)上,確定對有機(jī)分子薄膜的電學(xué)特性進(jìn)行研究。利用TZ2、DDME、MV115和MV73有機(jī)功能分子材料,分別制備基于裂隙的有機(jī)薄膜和摻有納米粒子的有機(jī)復(fù)合薄膜。用X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、紫外-可見分光譜
2、(UV-vis)光譜、表面輪廓儀和電化學(xué)工作站等對所制備的薄膜進(jìn)行了組分、形貌和性能的表征。
采用溶膠凝膠法制備SnO2薄膜和CuO摻雜的SnO2(CuO-SnO2)薄膜,研究了升溫速率和添加聚乙二醇PEG(1000)和丙三醇對SnO2納米復(fù)合薄膜的物相、微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性的影響。研究結(jié)果表明:SnO2薄膜呈四方相金紅石結(jié)構(gòu),CuO-SnO2薄膜升溫速率在3℃/min之間比較合適,隨著升溫速率的增加,SnO2薄膜結(jié)晶性逐漸變好
3、,晶粒長大,導(dǎo)電特性好,且摻雜PEG后的SnO2薄膜電阻均小于同等條件下未摻雜的SnO2薄膜。綜合考慮薄膜裂隙的微觀結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性等因素,我們確定添加PEG的氧化錫薄膜裂隙,研究基于氧化物裂隙的TZ2和DDME有機(jī)分子薄膜的電學(xué)特性。
制備了有機(jī)分子MV115和MV73薄膜以及和不同摻雜的ZnO納米粒子復(fù)合薄膜,系統(tǒng)的研究了添加不同質(zhì)量的ZnO納米粒子和摻雜不同元素(Cu,Li,Ag,Cu-Li,Ag-Li)的ZnO納米粒子對
4、有機(jī)復(fù)合薄膜的物相、微觀結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性的影響。并測試了有機(jī)材料在二氯甲烷溶劑中的紫外-可見吸收光譜。研究結(jié)果表明:有機(jī)材料MV115和MV73形成致密的薄膜,摻有納米粒子的薄膜則形成納米顆粒團(tuán)聚現(xiàn)象,通過測試電學(xué)特性發(fā)現(xiàn)實驗中制備的薄膜均具有開關(guān)現(xiàn)象,控制合適的納米粒子含量可以實現(xiàn)較好的開關(guān)特性。摻有納米粒子后改善了薄膜的電學(xué)特性,
基于金屬氧化物裂隙的有機(jī)薄膜表現(xiàn)出明顯的電開關(guān)現(xiàn)象,但由于裂隙薄膜自身的導(dǎo)電性較好,易產(chǎn)生導(dǎo)通
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