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文檔簡(jiǎn)介
1、工藝的進(jìn)步和消費(fèi)電子市場(chǎng)對(duì)高密度非易失性存儲(chǔ)的需求，促使多層單元閃存代替單層單元閃存成為閃存市場(chǎng)的主流，但同時(shí)提出數(shù)據(jù)可靠性的需求。針對(duì)多層單元閃存中存在的多比特隨機(jī)錯(cuò)誤問(wèn)題，閃存控制器中需要實(shí)現(xiàn)低功耗高帶寬的差錯(cuò)控制編解碼器。本畢業(yè)設(shè)計(jì)首先在riBM/RiBM算法的基礎(chǔ)上，對(duì)BCH碼的關(guān)鍵方程求解部分進(jìn)行研究創(chuàng)新，提出二進(jìn)制版的riBM算法，修正現(xiàn)有的SiBM算法的錯(cuò)誤，并且提出更加優(yōu)化的另外兩種算法，硬件上實(shí)現(xiàn)了帶寬為1.6Gbps
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