垂直構(gòu)型有機(jī)發(fā)光晶體管共源極的研究.pdf

1、有機(jī)發(fā)光晶體管(Organic light-emitting transistor, OLET)是一種新型的電致發(fā)光器件。它是集有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)二者而成的。因而具有發(fā)光和晶體管調(diào)節(jié)電流兩種功能，并可利用調(diào)解柵壓來控制其發(fā)光強(qiáng)度。另外，由于該晶體管采用了垂直構(gòu)型，縮短了溝道長(zhǎng)度，從而降低了器件的工作電壓，并提高了發(fā)光效率。
　　 本文通過制備不同材料、形狀及厚度的源電極，研究了源電極對(duì)VOLE

2、T器件光電特性的影響，具體包括以下幾點(diǎn)：
　　 首先，以單層鋁為源電極制作了多組VOLET器件ITO/Pentacene(40nm)/Alq3(60nm)/A1(25nm)/LiF(150nm)/Al。發(fā)現(xiàn)柵壓具有調(diào)控作用，但性能并不是很好?？紤]中間鋁源極是器件中最核心的部分，本文嘗試通過改變中間共源極的各方面參數(shù)，以達(dá)到優(yōu)化器件性能的目的。制作了以金為共源極的VOLET器件ITO/Pentacene(40nm)/Alq3(60

3、nm)/Au(25nm)/LiF(150nm)/Al，器件仍可以工作，且體現(xiàn)出較強(qiáng)的調(diào)控效果，說明電容部分確有克服高勢(shì)壘，以實(shí)現(xiàn)載流子注入的功能。
　　 其次，制作一套掩膜板，用以改變鋁源極的形貌。試圖通過改變?cè)礃O形貌來優(yōu)化器件的性能。利用其中兩種掩膜板制作了三組不同厚度的雙層源極器件，發(fā)現(xiàn)雖然有一定的電流調(diào)控效果，但發(fā)光性能很差，說明這種形貌并不利于提高器件的性能。
　　 最后，用掩膜板制作了四層源極結(jié)構(gòu)的VOLET器

4、件，其中第一層鋁的制備方法和制作單層鋁源極相同，但厚度非常薄，并在該層鋁表面利用特制的掩膜板再蒸鍍?nèi)龑?。制作了三組不同厚度的四層源極VOLET。其中以ITO/Pentacene(40nm)/Alq3(60nm)/A1(5nm，13nm,21nm,29nm)/LiF(150nm)/Al光電性能最好。其中A1(5nm，13nm，21nm，29nm)分別指鋁源極不同區(qū)域的厚度。并在確定了源極厚度與形狀的前提下，又對(duì)器件中起空穴傳輸以及平衡載流