含鎘納米晶的制備、性能表征及其在光伏器件中的運(yùn)用.pdf

1、本文主要研究含鎘納米晶材料的制備、表征及其在光伏器件中的運(yùn)用。通過(guò)配體交換及優(yōu)化配比等一系列措施來(lái)提高光伏器件的性能。主要內(nèi)容如下：
　　1.通過(guò)熱注射法合成CdSe納米棒，并運(yùn)用于基于PTB7/CdSe納米棒雜化器件的新體系，系統(tǒng)地研究了影響雜化薄膜電荷傳輸和表面形貌的因素。用乙二硫醇（EDT）和1,4-苯二硫醇（1,4-BDT）處理雜化薄膜可以得到較高效率的雜化器件（器件效率分別為2.58％和2.79%）。1,4-BDT和ED

2、T可以替代雜化薄膜上多余的吡啶配體并在CdSe納米棒表面形成鎘-硫化物，這可以實(shí)現(xiàn)雜化薄膜表面缺陷的鈍化，從而抑制激子復(fù)合和促進(jìn)激子的分離，增加電子的傳遞。與此同時(shí)，我們還探討了雜化活性層中PTB7與CdSe納米棒比例和添加劑1,8-二碘辛烷（DIO）對(duì)器件的影響，最后得到PTB7與CdSe納米棒的最優(yōu)比例是1:5，而添加劑DIO對(duì)雜化器件的影響是負(fù)面的，這是由于DIO不能使CdSe納米棒更好地分散進(jìn)PTB7中，反而使CdSe納米棒團(tuán)聚

3、，從而導(dǎo)致了雜化薄膜更加粗糙，影響器件的效率。我們預(yù)計(jì),這一發(fā)現(xiàn)將刺激進(jìn)一步的研究來(lái)實(shí)現(xiàn)更有效的電荷收集和高性能的器件。
　　2.采用溶液法來(lái)獲得高質(zhì)量ZnCdS納米晶。這種方法使用無(wú)毒溶劑，易于大量制備在空氣中能夠穩(wěn)定存在的ZnCdS納米晶，進(jìn)而作為T(mén)iO2界面的修飾層。相對(duì)于TiO2器件，用ZnCdS作為T(mén)iO2界面的修飾層能有效抑制激子的重組,降低串聯(lián)電阻,提高界面層中激子的分離。因此,器件的Jsc和FF都明顯地提高。這些結(jié)