基于噪聲高k柵棧結(jié)構(gòu)缺陷表征方法研究.pdf

1、高介電常數(shù)介質(zhì)(高k介質(zhì))器件，材料缺陷密度高、分布復(fù)雜，導(dǎo)致性能退化和可靠性降低等，因此，高k介質(zhì)缺陷及其表征方法研究引起重視。
　　 由于常規(guī)缺陷表征方法，如電容-電壓法(Capacitance-Voltage)、應(yīng)力傳感法(stress and sense)等，無法精確表征納米級MOS器件缺陷信息。脈沖法、電荷泵浦法等表征方法，可以表征納米級器件靠近溝道的缺陷，而無法表征遠(yuǎn)離溝道介質(zhì)內(nèi)部的缺陷。迫切需要新型的高k介質(zhì)缺陷表

2、征方法?；跍系篮徒橘|(zhì)內(nèi)部缺陷載流子交換機(jī)制的低頻噪聲方法可以用于介質(zhì)內(nèi)部分布缺陷的表征。由于納米級器件噪聲顯著增大，缺陷噪聲表征方法應(yīng)該更為有效。本文針對基于噪聲的缺陷表征方法，完成的主要工作如下：
　　 1.分析了高k柵棧結(jié)構(gòu)缺陷和溝道交換載流子機(jī)制。建立了高k柵棧結(jié)構(gòu)與溝道交換載流子的雙勢壘-單勢阱結(jié)構(gòu)模型。采用轉(zhuǎn)移矩陣法推導(dǎo)出載流子隧穿到陷阱的透射系數(shù)。透射系數(shù)出現(xiàn)明顯振蕩，證實共振隧穿機(jī)制的存在。
　　 2.基