微波DDS頻率源技術(shù)研究.pdf

1、頻率合成器的性能指標對整個電子系統(tǒng)的性能起著決定性作用，現(xiàn)代電子系統(tǒng)對性能指標要求越來越高，因此高性能頻率合成技術(shù)的研究要求也越來越迫切。本文的主要工作內(nèi)容就是結(jié)合多種頻率合成技術(shù)對寬頻帶、低雜散、快捷變頻、小步進的高性能頻率合成技術(shù)展開研究[1,2]。
　　首先，本文對DDS結(jié)合直接頻率合成技術(shù)（DS）的設計方案進行仿真分析、指標核算，為了進一步驗證方案可行性，設計制作了方案中的部分單元電路并進行測試，對測試結(jié)果分析得出：在窄帶

2、輸出情況下，該方案在頻率步進、相位噪聲、雜散抑制度、變頻速度指標方面都表現(xiàn)出很高性能。
　　然后，為了避免DDS+DS在寬帶輸出時的雜散問題，采用了DDS+PLL的研究方案，對方案進行分析及指標估算，并設計制作了鎖相環(huán)路的關(guān)鍵電路對跳頻時間及相位噪聲等指標進行測試，測試結(jié)果表明，在設計合適的環(huán)路參數(shù)情況下，500MHz帶寬跳頻時間約為5 us，滿足課題研究的預期；頻綜輸出9GHz時相位噪聲測試結(jié)果為：-87dBc/Hz@1kHz，

3、-99dBc/Hz@10kHz。
　　最后，為了進一步改善相位噪聲，對DDS+PLL方案進行改善，環(huán)路反饋信號先進行下變頻，再進行分頻以降低分頻比，進而降低相位噪聲。綜合考慮課題要求及電路設計難度，確定最終設計方案并進行設計制作及測試。測試結(jié)果為：
　　頻率源輸出頻帶為34~36GHz，在整個輸出頻帶內(nèi)相位噪聲優(yōu)于：-88dBc/Hz@1kHz，-96dBc/Hz@10kHz，-102dBc/Hz@100kHz，相比最初的D