高壓功率集成電路中的LDMOS的設(shè)計(jì)研究.pdf

1、高壓功率集成電路的設(shè)計(jì)與制造因其具有一定的高技術(shù)難度而極具挑戰(zhàn)性.其中的關(guān)鍵之一是功率HVLDMOS的相容工藝設(shè)計(jì).由于LDMOS的電極均位于芯片表面,易于通過內(nèi)部連接實(shí)現(xiàn)與低壓信號(hào)電路及其它器件的單片集成,它的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的正確與否將會(huì)影響到整個(gè)功率集成電路的性能.本文首先研究了LDMOS的工作特點(diǎn)以及在進(jìn)行結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中采用的兩種終端技術(shù)-場(chǎng)板技術(shù)和RESURF技術(shù);闡述了器件模擬和工藝模擬的基本知識(shí)并且介紹了本文主要運(yùn)用的設(shè)計(jì)工具-器件模

2、擬軟件MEDICI.完成了外延結(jié)構(gòu)LDMOS的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻的優(yōu)化設(shè)計(jì),性能指標(biāo)可望達(dá)到高壓功率集成電路的要求;提出了一種改進(jìn)的單晶結(jié)構(gòu)LDMOS,作者通過器件模擬軟件MEDICI仿真分析了P型反型層與漏端間距L<,p>對(duì)器件耐壓的影響,并給出了相應(yīng)物理意義上的分析,結(jié)果表明,L<,p>對(duì)器件耐壓的影響很明顯;完成了外延結(jié)構(gòu)LDMOS的工藝設(shè)計(jì),并給出了其工藝流程;系統(tǒng)地研究了LDMOS一些重要電學(xué)參數(shù)的高溫特性,得到的一些對(duì)于HV