X射線梯形反射式單級衍射光柵制作技術(shù)研究.pdf

1、普通光柵是一種多級衍射元件，存在高次諧波污染問題，作為單色儀使用時，其高次衍射會疊加在一級衍射上，形成高次衍射干擾。為避免單色儀使用過程中高次衍射對單色性能影響，結(jié)合現(xiàn)有工藝加工水平與實(shí)際應(yīng)用水平，對一種厚體硅X射線梯形反射式單級光柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究，并確定了光柵結(jié)構(gòu)基本參數(shù)。
　　采用大面積快速電子束直寫光刻工藝，利用Sal601光刻膠，曝光束流為30nA，加速電壓100KV，克服場拼接誤差影響，曝光效率提高10倍以上；ICP等離子

2、體刻蝕經(jīng)過參數(shù)優(yōu)化，成功制作陡直側(cè)壁薄硅光柵柵線結(jié)構(gòu)；采用低溫金-金擴(kuò)散鍵合工藝，在鍵合前預(yù)先采用 O2+Ar+H2等離子體活化技術(shù)，鍵合溫度260℃，壓力3.9MPa，在較低的溫度與較小的外加壓力條件下，實(shí)現(xiàn)了薄硅光柵圖形和較厚體硅襯底的低溫金-金鍵合；最后通過超聲波顯微技術(shù)（SAM）對低溫鍵合樣品的質(zhì)量進(jìn)行了檢測。
　　采用同步輻射光光源，對2000lp/mm梯形反射式單級衍射光柵在X射線波段不同波長與掠入射角條件下進(jìn)行了測試