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文檔簡介
1、單片微波集成電路(MMIC)作為第三代微波電路,是在半導(dǎo)體襯底上用一系列半導(dǎo)體工藝方法制造出無源和有源元器件,然后連接起來形成的功能電路。這樣設(shè)計出的電路尺寸控制在芯片級,體積和重量都大大減小,而且寄生因素影響較小,因此被廣泛的應(yīng)用于軍事以及民用領(lǐng)域。
本文采用0.15μm GaAs pHEMT工藝設(shè)計了一個Ku波段中等功率放大器和一個3~9GHz雙平衡混頻器,主要研究內(nèi)容如下:
(1)設(shè)計了一個工作于12~17GH
2、z的寬帶中等功率放大器,該放大器芯片分為兩級,兩級管芯采用相同的偏置電壓,管芯工作于 A類狀態(tài),芯片面積為1.5mm×0.6mm。仿真結(jié)果顯示,在12~17GHz的工作頻帶內(nèi),放大器的小信號增益典型值為18dB,輸出功率典型值大于21dBm,輸入輸出回波損耗典型值優(yōu)于12dB,功率附加效率PAE典型值大于23%。
(2)設(shè)計了一個工作于3~9GHz的寬帶雙平衡混頻器,該混頻器采用螺旋巴倫將信號等分反向以后將信號加載在二極管上,
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