新型納米器件及其應(yīng)用電路建模分析.pdf

1、本文采用非平衡格林函數(shù)和泊松方程自洽求解的量子模型，探討不同結(jié)構(gòu)的碳基場(chǎng)效應(yīng)管的輸運(yùn)特性。在器件電學(xué)特性的研究基礎(chǔ)上，利用Verilog-A建立查找表模型，在SPICE中構(gòu)建電路，研究不同結(jié)構(gòu)碳基場(chǎng)效應(yīng)晶體管構(gòu)成的電路性能。此外，本文研究了硅基自旋場(chǎng)效應(yīng)管的輸運(yùn)特性及其構(gòu)成邏輯電路的性能。本文的主要內(nèi)容涉及以下幾個(gè)部分：
　　首先，本文提出一種綜合非對(duì)稱峰值摻雜與輕摻雜結(jié)構(gòu)的n-i-n型GNRFETs（HALO-LDD- GNRF

2、ETs），并與傳統(tǒng)的GNRFETs（C-GNRFETs）、輕摻雜結(jié)構(gòu)GNRFETs（LDD-GNRFETs）進(jìn)行比較，結(jié)果表明HALO摻雜與LDD摻雜結(jié)構(gòu)顯著地提高了器件的開(kāi)關(guān)電流比與電壓增益、減小了亞閾擺幅、抑制了短溝道效應(yīng)。此外，還分別探討了基于HALO-LDD-GNRFETs、LDD-GNRFETs、C-GNRFETs的異或門與全加器電路的性能，結(jié)果表明基于HALO-LDD-GNRFETs的異或門與全加器具有更小的功耗和功耗延遲積

3、（PDP），且基于HALO-LDD-GNRFETs實(shí)現(xiàn)了D觸發(fā)器與多路復(fù)用電路。
　　其次，本文提出了一種異質(zhì)輕摻雜結(jié)構(gòu)的p-i-n型CNTFETs（LD-HTFETs），并與普通高K結(jié)構(gòu)隧穿場(chǎng)效應(yīng)管（HK-TFETs）、異質(zhì)隧穿場(chǎng)效應(yīng)管（HTFETs）進(jìn)行比較，結(jié)果表明異質(zhì)結(jié)構(gòu)與輕摻雜結(jié)構(gòu)能夠有效地提高開(kāi)關(guān)電流比與截止頻率、減小亞閾擺幅與柵電容，使得LD-HTFETs具有較好的靜態(tài)特性與高頻特性。在研究這三種器件構(gòu)成的邏輯電路中