一種基于缺陷態(tài)吸收的光功率監(jiān)測器研究.pdf

1、硅基光電子技術(shù)是當(dāng)今信息技術(shù)中的熱門技術(shù)。隨著光電集成度的增加，必然要求對片上信號進行實時的監(jiān)控。光功率監(jiān)測器則充當(dāng)起了這樣的角色:可以對器件的工作狀態(tài)的監(jiān)測、反饋控制、錯誤診斷等。其中一種典型應(yīng)用就是由于微環(huán)調(diào)制器的溫度敏感性，工作狀態(tài)不穩(wěn)定，需要對其工作波長進行實時監(jiān)測，所以提出了光功率監(jiān)測器集成在同一微環(huán)上的解決方案。
　　然而，由于硅的帶隙能量在通信波段呈現(xiàn)透明，也就限制了在此波段的光功率的直接吸收和探測過程。首先，本論文

2、針對硅材料在探測遇到的問題，對不同吸收機制的光功率監(jiān)測器和光電探測器的基本原理進行介紹，并且將重點討論通過離子注入引入缺陷態(tài)吸收機制的光功率監(jiān)測器。其次，詳細地介紹了完整的缺陷態(tài)功率監(jiān)測器的工藝仿真模擬流程，分析其電學(xué)特性;由于耗盡區(qū)內(nèi)的缺陷態(tài)分布對光電流具有很大的貢獻，繪制二維載流子濃度、缺陷態(tài)濃度、電場分布進行光功率監(jiān)測器的性能分析;進行參數(shù)優(yōu)化，改變注入窗口的交疊長度或者注入離子的濃度而改變耗盡區(qū)內(nèi)缺陷態(tài)的濃度分布，分析影響光響應(yīng)