射頻吸波材料電磁特性測(cè)試技術(shù)的研究.pdf

1、射頻吸波材料在電磁兼容等技術(shù)領(lǐng)域都有著越來(lái)越廣泛應(yīng)用，其電磁特性的測(cè)試是一項(xiàng)極其重要的課題。反射率直接表征吸波材料的吸波性能，而復(fù)介電常數(shù)和復(fù)磁導(dǎo)率是吸波材料最基本的電磁參數(shù)，其決定了吸波材料的吸波性能。本課題主要研究反射率、復(fù)介電常數(shù)和復(fù)磁導(dǎo)率的測(cè)試技術(shù)。
　　低頻同軸法是測(cè)量吸波材料反射率的一種基本方法，并可以應(yīng)用到復(fù)介電常數(shù)和復(fù)磁導(dǎo)率的測(cè)量之中。本課題基于低頻同軸測(cè)試裝置，提出了單端口三短路法來(lái)校準(zhǔn)計(jì)算測(cè)試裝置本身的散射參數(shù)

2、，以消除由于裝置結(jié)構(gòu)上不連續(xù)性而造成的多次反射的影響，用以計(jì)算吸波材料的反射率，并將計(jì)算結(jié)果與時(shí)域門法測(cè)試結(jié)果進(jìn)行了對(duì)比。對(duì)多種不同的鐵氧體試樣的反射率測(cè)量結(jié)果表明，單端口三短路法測(cè)試結(jié)果與應(yīng)用時(shí)域門技術(shù)的測(cè)試結(jié)果是一致的，單端口三短路法在30MHz-400MHz頻率范圍內(nèi)的測(cè)試結(jié)果是可信的。同時(shí)基于三短路法出發(fā)，應(yīng)用三狀態(tài)法求解大矩形同軸裝置的散射參數(shù)，進(jìn)而用于測(cè)試材料反射率，解決了時(shí)域門技術(shù)限制了大矩形同軸裝置在低頻段的應(yīng)用的問(wèn)題，

3、提高了裝置在100MHz以下測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。本文還根據(jù)傳輸反射法基本原理和NRW算法，提出了利用低頻同軸測(cè)試裝置進(jìn)行單端口開路短路反射法測(cè)試，利用分別在開路和短路狀態(tài)下進(jìn)行兩次反射系數(shù)的測(cè)量，計(jì)算獲得試樣的散射參數(shù)，最后求解得到試樣的復(fù)介電常數(shù)和復(fù)磁導(dǎo)率。
　　拱形法是IEEE STD1128-1998標(biāo)準(zhǔn)中推薦的吸波材料反射率的一種基本測(cè)試方法，該方法可以測(cè)量電磁波不同極化和入射角度情況下的吸波材料的反射率。本課題中暗室中利用