CVD法制備銻摻雜SnO2薄膜及其同質(zhì)器件的特性研究.pdf

1、分類號(hào)：密 級(jí)：學(xué)校代碼： 1 0 1 6 5學(xué) 號(hào)： 2 0 1 1 1 0 9 3 6蓬享研耗大學(xué)碩士學(xué)位論文C V D 法制備銻摻雜S n 0 2 薄膜及其同質(zhì)器件的特性研究作者姓名：學(xué)科、專業(yè)：研究方向：導(dǎo)師姓名：劉洋凝聚態(tài)物理納米材料和介觀物理馮秋菊副教授2014 年0 3 月遼寧師范大學(xué)碩士學(xué)位論文摘 要氧化錫( S n 0 2 ) 是一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，室溫下，禁帶寬度為3 ．6 e V 。由于其具有可見光透光性好

2、、電阻率低、物理化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)，已被廣泛應(yīng)用于氣敏傳感器、透明導(dǎo)電薄膜及光電器件等領(lǐng)域。由于本征S n 0 2 為l ' l 型半導(dǎo)體材料，因此，通過摻雜得到光電性能良好的P 型S n 0 2 材料成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn)。本文采用C V D 法成功制備出不同S b 摻雜含量的P 型S n 0 2 薄膜和p ．S n 0 2 ：S b ／n ．S n 0 2 的同質(zhì)p - n結(jié)器件，并對(duì)其結(jié)構(gòu)、光電等特性進(jìn)行了研究，具體研

3、究?jī)?nèi)容如下：( 1 ) 利用C V D 法在藍(lán)寶石襯底上制備出不同s b 摻雜量的S n 0 2 薄膜，并研究了不同S b 含量對(duì)S n 0 2 薄膜的表面形貌、晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)的影響。研究發(fā)現(xiàn)隨著S b 含量的增加，樣品表面變得平滑，晶粒尺寸逐漸增大，而且晶體質(zhì)量有所改善，結(jié)果表明少量S b 的摻入起到表面活化劑的作用。此外，我們還發(fā)現(xiàn)隨著S b 含量的增加，樣品的光學(xué)帶隙出現(xiàn)了藍(lán)移現(xiàn)象，而且H a l l 測(cè)量結(jié)果也證實(shí)適量

4、S b 的摻雜可以使S n 0 2呈現(xiàn)P 型導(dǎo)電特性，當(dāng)S b 2 0 3 ／S n O 的質(zhì)量比為1 ：5 時(shí)，其電學(xué)參數(shù)為最佳值。( 2 ) 采用C V D 法，在硅和藍(lán)寶石襯底上成功的制備出S b 摻雜S n 0 2 薄膜以及p - S n 0 2 ／n - S n 0 2 同質(zhì)p - n 結(jié)器件。X 射線衍射( X R D ) 、掃描電子顯微鏡( S E M ) 測(cè)試結(jié)果表明：在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)的S n 0 2 薄膜晶體質(zhì)量較好