基于RoF系統(tǒng)的低噪聲放大器的設(shè)計(jì).pdf

1、目前,各種無(wú)線通訊設(shè)備越來(lái)越多,應(yīng)用也越來(lái)越廣泛。Wi-Fi,RFID等技術(shù)的廣泛應(yīng)用對(duì)無(wú)線設(shè)備的要求越來(lái)越高。對(duì)于整個(gè)接收機(jī)來(lái)說(shuō),接受信號(hào)的靈敏度、輻射大小、接受信號(hào)的距離、噪聲系數(shù)NF等指標(biāo)都是需要設(shè)計(jì)者需要考慮的目標(biāo)。在無(wú)線通訊系統(tǒng)中,處于接收機(jī)最前端的低噪聲放大器是決定接收機(jī)噪聲性能和靈敏度的關(guān)鍵部件。
　　 低噪聲放大器位于接收機(jī)的最前端,它的性能直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的好壞。就低噪聲放大器電路設(shè)計(jì)而言,由于低噪聲放大器一

2、般與天線直接或天線后的濾波器相連,為了最大程度的信號(hào)傳輸,就需要放大器的輸入端與它們很好的匹配。就低噪聲放大器的制造工藝而言,CMOS工藝由于集成化的優(yōu)勢(shì)突出,有效的降低了成本。利用CMOS工藝制作性能優(yōu)良的LNA已經(jīng)成為研究重點(diǎn)。本文主要做了如下工作:
　　 首先,從MOSFET管的特性入手,分析了單管的電壓電流特性,闡述了共源放大器、共柵放大器和源極跟隨器的電路特性。然后敘述了基本的噪聲原理,器件的噪聲模型和MOSFET管的

3、噪聲分析方法。最后敘述了系統(tǒng)設(shè)計(jì)中對(duì)低噪聲放大器的性能要求,分析了低噪聲放大器的設(shè)計(jì)指標(biāo)。
　　 其次,分析對(duì)比了近年來(lái)有關(guān)窄帶低噪聲放大器論文的各種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),同時(shí)總結(jié)了近年來(lái)窄帶低噪聲放大器設(shè)計(jì)的優(yōu)化方法。本文應(yīng)用90nm IBM CMOS工藝,采用Cadence軟件完成窄帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì),完成了電路圖仿真、Comer分析、版圖繪制、DRC、LVS以及后仿真,并提交流片。最后論文提出了一種新型電路結(jié)構(gòu)。該電路結(jié)構(gòu)可以通過(guò)調(diào)

4、節(jié)控制電壓,使電路在1.9GHz到2.4GHz頻段內(nèi)諧振在不同的頻點(diǎn),在每個(gè)頻點(diǎn)處S11＜-15dB,S22＜-15dB,S21＞15dB,NF＜2dB,滿足設(shè)計(jì)要求。
　　 再次,分析總結(jié)了寬帶低噪聲放大器不同的設(shè)計(jì)方法,并對(duì)各個(gè)方法的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行對(duì)比。文中應(yīng)用90nm CMOS工藝,利用Cadence軟件完成寬帶低噪聲放大器的設(shè)計(jì),完成了電路圖仿真、Corner分析、版圖繪制、DRC、LVS以及后仿真,并提交流片。最后,本文提