壓電晶體器件襯底超精密清洗的研究.pdf

1、隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，壓電晶體器件特征尺寸不斷減小，對元器件襯底材料表面潔凈度的要求越來越高。為了確保元器件產(chǎn)品的成品率，超精密清洗是十分必要的工序。傳統(tǒng)的清洗方法采用的是有機(jī)溶劑單槽浸泡的清洗工藝，該工藝消耗大量的化學(xué)試劑，清洗效率低，成本高，對人和環(huán)境不友好。本論文根據(jù)水基清洗原理，通過研究壓電石英晶片襯底材料表面污染物組成，研發(fā)了一種由表面活性劑為主，具有高效、安全、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)的水基清洗劑。
　　本文通過對多種表面活性劑

2、除油效率和表面張力的研究，探索了陰離子表面活性劑和非離子表面活性劑之間的復(fù)配增效作用，得到五組清洗效率較高的復(fù)配組合。通過研究單一組分表面活性劑的泡沫性能，在不加入消泡劑的前提下，采用復(fù)配抑泡技術(shù)得到起泡低、消泡快的復(fù)配組合。
　　研究了復(fù)配陰離子表面活性劑A和復(fù)配非離子表面活性劑B的除油效率、表面張力和泡沫性能，確定了清洗劑AFT-101的配方組成。并通過考查清洗溫度、時間和濃度對清洗劑去污效率和除油效率的影響，確定了最佳去污清

3、洗工藝和除油工藝為溫度60℃，濃度5％，時間5min。
　　采用多槽超聲波清洗工藝，研究了清洗溫度、時間和濃度對石英晶砣脫片效率和清洗后晶片表面平均接觸角的影響。確定了清洗劑實(shí)驗(yàn)室最佳脫片工藝為溫度60℃，濃度5％，時間10min;最佳清洗工藝為溫度60℃，濃度5％，時間5min。采用AU清洗技術(shù)，研究了清洗后晶片表面形貌和接觸角，并通過FTIR顯微紅外和SEM-EDS能譜對晶片表面進(jìn)行微量測試分析，結(jié)果表明石英晶片采用AU清洗技