摻銻氧化錫導(dǎo)電復(fù)合材料的性能研究.pdf

1、摻銻氧化錫(ATO)納米粉體具有良好的電學(xué)性能、光學(xué)性能，優(yōu)異的抗腐蝕性和熱穩(wěn)定性，在平板顯示器、電致變色功能轉(zhuǎn)換薄膜、氣敏元件、太陽能電池等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，具有非常廣闊的市場前景。
　　本文主要研究Sb摻雜SnO2導(dǎo)電粉和包覆型復(fù)合導(dǎo)電粉的制備工藝和導(dǎo)電機理。分別采用水熱法和共沉淀法，以結(jié)晶四氯化錫和三氯化銻為主要原料，制備了摻雜的氧化錫和包覆型復(fù)合導(dǎo)電粉。利用電化學(xué)工作站研究粉體的導(dǎo)電性能，并利用X射線衍射（XRD）、場發(fā)射掃描

2、電鏡（SEM）、能譜分析（EDS）、傅里葉光譜（FTIR）等手段對導(dǎo)電粉體進(jìn)行表征；研究了摻雜前后SnO2材料導(dǎo)電性能與材料結(jié)構(gòu)、形貌之間的關(guān)系。通過改變水熱過程中Sb摻雜量、水熱反應(yīng)溫度及熱處理溫度等研究了ATO粉體的形成工藝及其對粉體電阻率的影響。ATO粉體的最佳制備工藝為：Sb摻雜量為5％，180℃水熱反應(yīng)2h，900℃熱處理2h；電阻率為2.5×103Ω·cm，ATO顆粒平均粒徑為60.9nm。采用共沉淀法制備ATO包覆TiO2

3、(SST)復(fù)合導(dǎo)電粉體材料，通過對水解溫度、反應(yīng)pH及熱處理溫度等因素的考察，研究ATO包覆TiO2材料的晶體結(jié)構(gòu)、形貌以及電阻率的影響。在Sn/Ti摩爾比為0.5，pH為2，水解溫度為70℃，500℃熱處理2h的條件下，粉體的電阻率為2.546×103Ω·cm；SST粉體為核殼結(jié)構(gòu)，表層ATO顆粒的晶粒大小為25nm。采用共沉淀法制備了以空心微球為基核的 ATO復(fù)合材料（SSH），研究了SnO2/HGS質(zhì)量比，熱處理溫度對SSH復(fù)合材