太陽電池用晶體硅中氧碳雜質(zhì)與缺陷.pdf

1、太陽能作為一種用之不竭的可再生能源受到越來越多的關(guān)注，但較高的成本是阻礙其大規(guī)模應(yīng)用的主要原因，而提高電池的轉(zhuǎn)化效率是減低成本的主要途徑。硅中氧和碳等不可避免的雜質(zhì)是影響晶體硅太陽電池效率的主要原因之一。因此，研究晶體硅中氧和碳雜質(zhì)和缺陷性質(zhì)對于光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要的意義。
　　 本文研究了氧沉淀對晶體硅太陽電池性能的影響、晶體硅中空位-氧相關(guān)中子輻照缺陷以及含碳晶體硅中位于1207 cm-1處紅外吸收峰的性質(zhì)。最終取得了如下

2、主要結(jié)果：
　　 (1)氧沉淀在硅中可以成為有效的復(fù)合中心，它可以導(dǎo)致光譜中長波長吸收下降以及電池漏電流的增加，最終導(dǎo)致開路電壓、短路電流和效率的降低。
　　 (2)定量的計算出普通摻鎵晶體硅(CZ)和鎵鍺共摻的晶體硅(GCZ)中中子輻照缺陷VO的消除激活能分別為1.89 eV和2.29 eV以及VO2的生成激活能分別為1.69 eV和1.52 eV；此外還計算出在220-250℃熱處理后GCZ硅中生成的亞穩(wěn)定態(tài)的O-V